第4章 源光发射机.ppt

* 图4.4.2 LED和LD的光谱特性 * 图4.4.2 LED和LD的光谱特性 * 表4.4.1 LED典型特性参数 * 表4.4.2 LD及其模块特性参数 * 4.4.2 模式特性 半导体激光器的模式特性可分成纵模和横模两种 纵模决定频谱特性 横模特性决定光场的空间特性，即横模决定近场特性（在激光器表面）和远场特性（近场的富里叶变换） * LD横模特性决定光场的空间特性 * 图4.4.3 BH半导体激光器在不同注入电流下的横模特性 * 4.5 光发射机 光发射机是让 LD 携带信息信号以便在光纤中传输的装置。 光发射机有直接调制和外调制之分。 光发射机通常有复用、编码、调制和驱动电路等部分组成。 * 常用的调制方法----直接调制 注入调制电流实现光波强度调制 获得好的光调制波形的前提条件：响应速度快、输出波形好的调制电路。 数字调制有编码电路，模拟调制没有编码电路，其它结构完全相同。 复用电路：时分复用、频分复用、波分复用等。 光功率控制（AGC）电路：发送光的一部分反馈到光源的输出功率稳定电路。 自动温度控制(ATC)电路：因为输出光功率与温度有关，所以对温度进行控制。 * 直接调制光发射机 * 对 LD 直接调制 * 模拟信号对 LD 调制 * 数字信号对 LD 调制 * 光外腔调制发射机框图 * 外调制示意图 * 思考题 * 总 结 * 总 结 * 总 结 * 总 结 * * 衰减倍数与放大倍数必须相等 * 半导体激光器的增益频谱 g(?) 相当宽（约10 THz），在 F-P 谐振腔内同时存在着许多纵模，但只有接近增益峰的纵模变成主模。 在理想条件下，其它纵模不应该达到阈值，因为它们的增益总是比主模小。实际上，增益差相当小，主模两边相邻的一、二个模与主模一起携带着激光器的大部分功率。这种激光器就称作多模半导体激光器。 图4.2.8 激光器增益谱和损耗曲线阈值增益为两曲线相交时的增益值 * 图4.2.9 激光器起振阈值条件的简化描述 * 小 结---光在谐振腔里建立稳定振荡的条件 在半导体激光器里，由两个起反射镜作用的晶体解理面构成的法布里?珀罗谐振腔，它把光束闭锁在腔体内，使之来回反馈。 当受激发射使腔体得到的放大增益等于腔体损耗时（阈值条件），并且谐振腔内的前向和后向光波发生相干时（相干条件），就保持振荡，形成等相面和腔体端面平行的驻波，然后穿透谐振腔的两个端面，输出谱线很窄的相干光束。 * * 4.3 器件结构 异质结半导体激光器 量子限制激光器 分布反馈激光器 (DFB) 垂直腔表面发射激光器 (VCSEL) * 图4.3.1 LED 和几种 LD 的结构 * 同质结构只有一个简单P-N结，且 P 区和 N 区都是同一物质的半导体激光器。 该激光器阈值电流密度太大，工作时发热非常严重，只能在低温环境、脉冲状态下工作。 为了提高激光器的功率和效率，降低同质结激光器的阈值电流，人们研究出了异质结的半导体激光器。 同 质 结 构 LD * 4.3.1 异质结半导体激光器 所谓“异质结”，就是由两种不同材料（例如 GaAs 和 GaAlAs ）构成的P-N结。在双异质结构中，有三种材料，有源区被禁带宽度大、折射率较低的介质材料(GaAlAs)包围。前者把电子局限在有源区内，后者将受激发射也限制在有源区内，同时也减少了周围材料对受激发射的吸收。 这种结构形成了一个像光纤波导的折射率分布，限制了光波向外围的泄漏，使阈值电流降低，发热现象减轻，可在室温状态下连续工作。 为进一步降低阈值电流，提高发光效率，提高与光纤的耦合效率，常常使有源区尺寸尽量减小，通常w =10 ?m，d = 0.2?m, L=100 ~ 400 ?m ，w为禁带宽度，d为有源区厚度，L为腔体长度。 * 图4.3.2 同质结、双异质结LD能级图及光子密度分布的比较 * 4.3.2 量子限制激光器 除双异质结 LD 对载流子进行限制外，还有另外一种完全不同的对载流子限制的方式。这就是对电子或空穴允许占据能量状态的限制，这种激光器叫做量子限制激光器。 它具有阈值电流低，谱线宽度窄，微分增益高，以及对温度不敏感，调制速度快和增益曲线容易控制等许多优点。 * 量子阱器件有很薄的GaAs有源层夹在两层很宽的AlGaAs半导体材料中，所以它是一种异质结器件。在这种激光器中，有源层的厚度 d 很薄，导带中的禁带势能把电子封闭在 x 方向上的一维势能阱内，但是在 y 和 z 方向是自由的。这种封闭呈现量子效应，导致能带量化分成离散值。 这种状态密度的变化，改变了自发辐射和受激发射的速率。量子阱半导体激光器有源层厚度仅是10nm