扩散段学习报告全传笔.pptxVIP

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扩散段学习报告全传笔

基本原理 生产流程 方阻测定 总结与计划 目录 一、基本原理 扩散原理 当物质内有梯度存在时,由于物质的热运动而导致质点的定向迁移过程。扩散是一种传质过程,本质是质点的热运动。 空位扩散 填隙扩散 替位填隙扩散 直接交换 环形交换 磷扩散可通过空位扩散、替位填隙扩散两种机制实现 Fick 第一定律 在稳态扩散的条件下,单位时间内通过垂直于扩散方向的单位面积的扩散物质量(通称扩散通量)与该截面处的浓度梯度成正比。   式中:扩散通量:J,atoms/(m2·s)或kg/(m2·s) 扩散系数: D,m2/s; 浓度梯度: ,atoms/(m3·m)或kg/(m3·m) 基本原理 Fick 第二定律 基本原理 过程 基本原理 N型 P型 预沉积与再分布 预沉积(恒定源) 再分布(限定源) 基本原理 浓度随深度的变化图 t为时间 POCl3在高温下(600℃)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下: 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下: 由上面反应式可以看出,POCl3热分解时,如果没有外来的氧(O2)参与其分解是不充分的,生成的PCl5是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气(Cl2)其反应式如下: 反应过程 基本原理 生成的P2O5又进一步与硅作用,生成SiO2和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。 在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为: POCL3+5O2 2P2O5+6CL2 POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面,P2O5与硅反应生成SiO2和磷原子,并在硅片表面形成一层磷-硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散 。 基本原理 生产流程 二、生产流程 扩散过程 生产流程 炉尾方向 生产流程 生产流程 四探针测试仪:采用集成电路为核心器件,应用了模拟和数字电子技术。考虑到测试样品尺寸,薄厚等因素采用以下公式: R□=[V*F(D/S)*F(w/s)*Fsp]/I (Ω/□) 式中:V——2、3探针间取出的电压值 I —— 1、4探针间流过的电流值 D——样品直径 S——平均探针间距 Fsp——探针间距修正系数 F(w/s)——样品厚度修正系数 F(D/S)——样品直径修正系数 三、方阻测定 四、总结与计划 本次对制绒段的学习内容主要是在了解基本原理的基础上对生产流程及常见问题的学习。 下一步计划: 在对扩散基本原理了解的基础上对扩散段的生产流程进行学习。 进一步巩固学习制绒段内容。 Thanks

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