武汉工程大学电力电子技术第二章.ppt

电力电子器件的概念 电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件的特征 所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的微电子器件。 为了实现相关功能，一般都工作在开关状态，因此存在开关的损耗。 由信息电子电路来控制，且需要驱动电路，与之配合 自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装散热器。 通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。 电力二极管（Power Diode）自20世纪50年代初期就获得应用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少的，特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管，具有不可替代的地位。 电力二极管是以半导体PN结为基础的，实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看，可以有螺栓型、平板型等多种封装。 二极管的基本应用 整流 续流 限幅 钳位 稳压 电力二极管的主要参数 正向平均电流IF(AV) 正向压降UF 反向重复峰值电压URRM 最高工作结温TJM 反向恢复时间trr 浪涌电流IFSM 反向饱和电流 如手册上某电力二极管的额定电流为100A，即IFR=100 1、则表示允许通过平均值为100A的正弦半波电流； 2、允许通过正弦半波电流的幅值为314A； 求出电路中二极管电流的有效值IFrms ； 求二极管电流定额IFR，等于有效值IFrms 除以1.57； 将选定的数值放大1.5到2倍以保证安全。 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，介绍几种常用的电力二极管。 （1）普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode），多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。 其反向恢复时间较长，一般在5?s以上 。 其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。 （2）快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD） 恢复过程很短，特别是反向恢复过程很短（一般在5?s以下），从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。 （3）肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD） 优点： 反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。 弱点： 当所能承受的反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。 晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR），以前被简称为可控硅。 1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）发明了晶闸管，到1957年美国通用电气公司（General Electric）开发出了世界上第一只晶闸管产品，并于1958年使其商业化。 由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。 电力电子技术 第2章 半导体开关器件 刘 健 武汉工程大学 电气信息学院 电气教研室 电 话： Email： 163ted@163.com page * of 81 武汉工程大学 电气信息学院 电力电子技术 不控器件：电力二极管（伏安特性、基本应用） 半控器件：通过控制信号可控制其导通，而不能控制其关断的器件 晶闸管(SCR）及其派生器件（工作原理、主要特性参数、开通条件） 全控器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件。 绝缘门极双极型晶体管（IGBT）,场效应晶体管（MOSFET）,门极可关断晶