点缺陷空位间隙原子.PPT

* * 第一篇 半导体物理基础 7 载流子的输运 1 绪 论 2 晶体结构 3 半导体中的电子状态 4 半导体中杂质和缺陷能级 5 载流子 6 载流子的浓度 4 半导体中杂质和缺陷能级 晶格原子是振动的；材料含杂质；晶格中存在缺陷 （a）点缺陷（空位、间隙原子） （b）线缺陷（位错） （c）面缺陷（层错） （1）与理想情况的偏离原因 极微量的杂质和缺陷，会对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响， 同时也严重影响半导体器件的质量。 理论分析认为，杂质和缺陷的存在使原本周期性排列的原子所产生的周期性势场受到破坏，在禁带中引入了能级，允许电子在禁带中存在，使半导体的性质发生改变。 4 半导体中杂质和缺陷能级 单位体积中的杂质原子数称为杂质浓度 （2）间隙式杂质、替位式杂质 4 半导体中杂质和缺陷能级 施主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子，并成为带正电的离子。如Si中的P 和As N型半导体 As 施主能级 （3）半导体的掺杂 4 半导体中杂质和缺陷能级 受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如Si中的B。 P型半导体 B 受主能级 （3）半导体的掺杂 4 半导体中杂质和缺陷能级 半导体中同时存在施主和受主杂质，且 。 N型半导体 N型半导体 （4）杂质的补偿作用 4 半导体中杂质和缺陷能级 （5）点缺陷 弗仓克耳缺陷 间隙原子和空位成对出现 肖特基缺陷 只存在空位而无间隙原子 间隙原子和空位这两种点缺陷受温度影响较大，为热缺陷，它们不断产生和复合，直至达到动态平衡，总是同时存在的。 空位表现为受主作用；间隙原子表现为施主作用。 （a）弗仑克尔缺陷 （b）肖特基缺陷 4 半导体中杂质和缺陷能级 替位原子（化合物半导体） （5）点缺陷 4 半导体中杂质和缺陷能级 （6）位错 位错是半导体中的一种缺陷，它严重影响材料和器件的性能。 施主情况 受主情况 绝对零度 一定温度 在绝对零度时，能量由低向高占据能级保证系统总能量最低。 在一定温度和外界作用下，一般只有那些占据最高能带的电子才有机会跃迁到新的能级。 原子中所有电子都处在不同的能带上，根据泡利不相容原理 5 载流子 参与导电的电子和空穴 第一篇 半导体物理基础 7 载流子的输运 1 绪 论 2 晶体结构 3 半导体中的电子状态 4 半导体中杂质和缺陷能级 5 载流子 6 载流子的浓度 绝对零度 一定温度 导带底 Ec 价带顶 Ev Eg (禁带宽度) Si: Eg = 1.12eV(电子伏特) 能量差 Eg= EC-EV 价带：价电子所占据的能带 导带：高于价带的相邻能带 EV价带中能量最高的能级或价带的上边界 EC导带中能量最低的能级或导带的下边界 5 载流子 不参与导电 参与导电 不参与导电 （1）满带、部分占满的能带、 空带 5 载流子 只有部分量子态都被电子占据的能带。 所有量子态都被电子占据的能带。 满带： 部分占满的能带： 空带： 所有量子态都没有被电子占据的能带。 金属（导体）、半导体、绝缘体能带示意图 3~6eV 硅1.12eV 锗0.67eV 砷化镓1.42eV 能带被电子部分占满，在电场作用下这些电子可以导电 禁带很宽，价带电子常温下不能被激发到空的导带 禁带比较窄，常温下，部分价带电子被激发到空的导带，形成有少数电子填充的导带和留有少数空穴的价带，都能带电 5 载流子 导带 价带 禁带 准自由电子： 导带中的电子 空穴：价带中的 空量子态 价带电子被激发到导带后会在价带中留下空的量子态，价带不再是被电子占满的满带，价带电子具有了传导电流的能力。 如果把价带中的空量子态看成是带正电荷的微观粒子，那么价带电子形成的电流可以等效为这些带正电荷的粒子形成的电流，称这种虚拟的粒子为空穴。 （2）空穴的概念 5 载流子 共价键上一个电子挣脱共价键的束缚，形成导电电子，在原共价键处形成空位，电中性被破坏，多出一个正电荷。当另一个共价电子填这个空位…相当于空位在移动，并且这个空位带有一个正电荷，反映了价电子的运动，把这个空位就称为空穴。 （2）空穴的概念 5 载流子 价带中的电子跃迁到导带后会产生一个准自由电子和一个空穴，这个