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* 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3 双极型晶体管 （ bipolar junction transistor） 双极型晶体管（晶体三极管、半导体三极管） 小功率管、中功率管、大功率管 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3 双极型晶体管 （ bipolar junction transistor） §2.3-1 晶体管的结构 两个PN结、三个电极 平面型（NPN）、合金型（PNP） P N N C E B N N P 发射极E 集电极C 基极B 集电结 发射结 集电区 基区 发射区 B E C C E B E B C N P P P P N E C B B E C C E B 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管内部载流子的运动（NPN共发射极为例） 发射区高搀杂、基区薄、外加电压 发射过程：发射结正偏压，形成发射极电流IE 复合和扩散过程：电子向集电结扩散，与基区空穴复合形成基极电流IB 收集过程：集电结反偏压，形成集电极电流IC和反向截止电流ICBO Rc Rb IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管的电流分配关系（共发射极） IE=IEN+IEP=ICN+IBN+ICBO IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO IE=IC+IB 共射电流放大系数： hFE=ICN/（IBN+IEP） =（IC-ICBO）/（IB+ICBO） IC=hFE*IB+ICBO 由于：IBICBO IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-2 晶体管电流放大作用 晶体管的电流分配关系（共基极） IE=IEN+IEP=ICN+IBN+ICBO IC=ICN+ICBO IB=IBN+IEP-ICBO IE=IC+IB 共基电流放大系数： hFB=ICN/IE =(IC-ICBO)/IE IC=hFB*IE+ICBO 由于：IEICBO IB IE IC ICN ICBO IBN IEP IEN 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-3 晶体管共射特性曲线 输入特性曲线 VCE一定，基极电流IB与发射结电压VBE之间的函数关系 VCE=0时，基极与发射极间相当于两个PN结并联 C E B VBE IB VCE=0 C E B VBE IB 0VCEVBE时，集电结正向偏置，收集电子能力弱，曲线右移 VCEVBE时,集电结反向偏置，收集电子能力强，曲线再次右移 VCE1V时, 曲线重叠 IB VBE VCE=0 0.5V 1V 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-3 晶体管共射特性曲线 输出特性曲线 IB一定，集电极电流IC与管压降VCE之间的函数关系 每一个确定的IB对应一条输出曲线 VCE从而逐渐增大，集电结电场增强，IC增大； VCE再增大，IC基本不变 截止区（VBE VON） IB=0曲线的以下部分，发射结与集电结均截止 IC=0 放大区（ VBE VON 且VCE VBE） 发射结正向偏置，集电结反向偏置 IC=hFE*IB 饱和区（ VBE VON 且VCE VBE ） 发射结与集电结均正向偏置，IC与IB、VCE有较大关系 IC VCE IB=80uA 饱 和 区 截止区 60uA 40uA 20uA 0uA 放 大 区 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3-4 晶体管的主要参数 直流参数 共射直流电流放大系数：hFE=IC/IB 共基直流电流放大系数：hFB=IC/IE 极间反向电流：ICBO 交流参数 共射交流电流放大系数：hfe= IC/ IB 共基交流电流放大系数：hfb= IC/ IE 特征频率：fT，|hfe|下降到1的信号频率 极限参数 最大集电极耗散功率：PCM=IC*VCE 最大集电极电流：ICM 极间反向击穿电压：VCEO、VCBO、VEBO IC VCE 过损耗区 安全工作区 PCM=IC*VCE ICM VCEO 电子线路基础 第二章:半导体器件的特性 §2.3 双极型晶体管 （ bipolar junction transistor） §2.3-5 晶体管的应用电路（共发射极放大电路）