电子功能材料及元器件（大学课件）梁喜双-6-3 光电导效应型光敏器件.pptxVIP

第六章 光敏及光电器件6-3 光电导效应型光敏器件主要内容6-3-1 光电导效应型光敏器件的工作原理 1.本征光电导器件 2.非本征光电导器件 3.多晶材料光敏器件6-3-2 CdS光敏器件及其特性 1.光电导的灵敏度 2.光谱响应特性 3.响应特性 4.电压-电流特性 5.温度特性6-3-1 光电导效应型光敏器件的工作原理1.本征光电导器件 无光照时，暗电导率：（6-4） 式中q为电子电荷；n0、p0、μn、μp分别为材料的热平衡电子、空穴浓度和电子、空穴的迁移率。 有光照时，电导率：（6-5） 式中Δn和Δp分别为光生电子浓度及光生空穴浓度。6-3-1 光电导效应型光敏器件的工作原理由光生载流子引起的附加电导称为光电导Δσ为:（6-6）短路电流密度Js为：（6-7）通过器件的电流Is为：（6-8）式中，V=EL为外加电压，在本征吸收中Δn=Δp ，上式化简为：（6-9） 通过器件的光电流与外加电压V及光生载流子浓度Δn成正比，同时与器件的几何尺寸W、D、L有关。晶体完整性好的高阻材料中μn和μp较大，有利于制作这类器件。6-3-1 光电导效应型光敏器件的工作原理2.非本征光电导器件 对于非本征的掺杂半导体制作的光电导光敏器件的工作原理与本征光电导器件是类似的。差别在于对非本征的掺杂材料， Δn≠Δp ，对于N型材料Δn＞＞Δp，对于P型材料 Δp＞＞Δn，它们的光电导分别为：（