第八放大电路.pptVIP

第一节 晶体管 第二节 晶体管基本放大电路 第三节 功率放大器 第四节 集成运算放大器及其应用 第一节 晶体管 晶体管又称三极管，它具有电流放大作用，在电子电路中应用十分广泛。常用的一些晶体管外型如图8-1所示。 1. 晶体管的结构和符号 晶体管由三个导电区、两个PN结构成，有三个电极。如图所示。中间的导电区称基区，引出的电极为基极B。两边是发射区和集电区，分别引出的电极为发射极E和集电极C。两个PN结分别称发射结和集电结。如果两边是N区，中间为P区，称为NPN型晶体管；如果两边是P区，中间是N区，称为PNP型晶体管。 2.晶体管内部结构特点 一、晶体管的结构、符号和特点 1. 晶体管的结构和符号 二、晶体管的电流放大作用 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 三、晶体管的主要参数 1. 电流放大系数，? 4．集电极最大允许电流 　集电极最大允许电流是指晶体管工作时，对其集电极电流的限制。当晶体管集电极电流超过 时，晶体管的参数(如电流放大系数 )将会明显下降，并容易造成损坏。 5．集电极最大允许耗散功率 晶体管工作时集电极电流引起的功率损耗 会使反向偏置的集电结发热。为了限制集电结温升不超过允许值而规定了最大值,该值除了与集电极电流有关外，还与集电极和发射极之间的电压有关。晶体管工作时若集电结上损耗超过 ,会因集电结温度过高而烧毁晶体管。 6．集电极、发射极之间反向击穿电压 这是指晶体管基极开路时，集电极和发射极之间能够承受的最大电压。实际值超过此值时，将会导致晶体管被击穿而损坏。 四、晶体管的三种工作状态 晶体管工作状态的不同是因其集电结和发射结偏置不同造成的，它可以分成放大状态、饱和状态及截止状态。这些不同工作状态表现出来的特性是不同的，所以，它们被应用于不同的场合。 　　　　　　　 1．放大状态 处于放大状态的晶体管，各极之间电流关系为 即　　　　　　　 图8-5 (a)所示电路采用一个电源供电，它是在图8-4电路的基础上，将电阻 接到 正极的一端改接到 的正极上，这样可以省去 。为了进一步简化电路，图8-5(a)中电源省去 未画，只标出它对地电位值和极性。 图8-5(a)中，基极电流 增大时，集电极电流 也会按 倍关系增大；基极电流 减小时，集电极电流 也会按 倍关系减小。放大状态的这个重要特征是集电极电流 受基极电流 的控制作用，实质上所说的放大就是这种以较小 的控制较大的 ，其控制量是 倍。 图8-5(b)中标出发射结的正向偏置电压 和集电结的反向偏置电压 ，由于发射极接地，所以集电极与发射极之间电压 为上正下负，即C极电位比E极电位高， 的数值大小可由图8-5 (a)所示电路求得， 。将晶体管三极引脚各点电位比较发现，处于放大状态的晶体管，集电极电位最高，基极电位次之，最低的是发射极电位。 图8-5 (c)示意晶体管处于放大状态时，集电极C和发射极E之间相当于通路，用一个变化的电阻表示其间电压降，变化情况可认为是受基极电流控制的。 2．饱和状态 处于饱和状态的晶体管，基极电流 增大时，集电极电流 增大很小或不再增大，基极电流 失去对集电极电流 的控制作用，因而晶体管饱和时没有放大作用。 晶体管处于饱和状态的条件是发射结正向偏置，集电结也正向偏置，图8-6所示为处于饱和状态晶体管的电流、电压示意图。 2．饱和状态 图8-6 (a)中，若减小 ,使发射结正向电压 增加，这一阶段晶体管还是工作在放大状态。基极电流 对集电极电流 仍然有控制作用，并且 增加， 也增加， 减小。当减小到接近为零时(硅管约0.3V，锗管约0.1V，称为饱和压降)，集电极电流已达到最大值