第八章 MIS.pptVIP

第七章 半导体的表面、界面及接触现象 半导体表面 半 — 半接触 金 — 半接触 §7.3 MIS结构的C-V特性 一、理想的MIS结构的C-V特性 特征： 1）Ei与EF在表面处相交（此处为本征型）； 2）表面区的少子数多子数——表面反型； 3）反型层和半导体内部之间还夹着一层耗尽层。 表面反型条件 出现强反型的临界条件，ns=(po)p 强反型出现 VG0 VS0, VG=0, VG0, VG0 多子堆积, 平带, 多子耗尽, 反型少子堆积 VG变化?VS变化?能带弯曲?电荷分布变化 4．N型半导体表面空间电荷层的四种基本状态 1) VG0 ,VS0 能带下弯，ns (n0)n 多子的堆积 ??? ?? EF 2) VG=0，VS=0 平带 3) VG0，VS0 能带上弯，ns (n0)n 为电子势垒 + + + 电离施主 4) VG0 + + °° ° 空穴 表面处形成了p型材料，即反型层 多子耗尽 EF Ei 弱反型：nsps(no)n 强反型：ps(no)n EF 1．总电容C VG=V0+VS 在MIS结构上加电压VG后，电压VG的一部分Vo降在绝缘层上，而另一部分降在半导体表面层中，形成表面势Vs，即 因是理想MIS结构，绝缘层内没有任