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第四章　MOSFET逻辑设计 MOSFET开关 基本的CMOS逻辑门 CMOS复合逻辑门 传输门电路 时钟控制和数据流控制 高电平有效------nFET接地: 串联构成与非操作，并联构成或非操作。 低电平有效------pFET： 串联构成或非操作，并联构成与非操作。 移动反相小圈的方法 步骤： 1、用基本的AOI或OAI结构构成逻辑图 2、用结构化设计方法，在输出与地之间构建nFET逻辑阵列 3、从原始逻辑图开始，运用DeMorgan规则将小圈推回输入端，使每个小圈都回到输入端，即可得到在输出与电源之间的PFET逻辑电路。 例 课堂练习： 根据逻辑图构建出nFET阵列 利用小圈推移法，得到pFET逻辑阵列。 * 重点：掌握构建CMOS逻辑门的方法。 1、MOSFET开关 1）理想开关与布尔运算 高电平有效控制开关：y=x.A iff A=1 x y A=0 x y=x A=1 1 a b y=a.b 高电平有效 串联，a=1,b=1时，输出“1”，不完整的与操作。 1 a b 并联，当a=0,b=0时，输出不确定。不完整的或操作。 低电平有效 串联，a=0,b=0时，输出“1”，不完整的非与操作。“或非” x y=x A=0 y=？ A=1 x 1 a b 1 a b 并联，当a=1,b=1时，输出不确定。不完整的非或功能。“与非” 低电压有效控制开关：y=x.? if