va—via族化合物半导体纳米热电薄膜的电化学原子层外延生长-electrochemical atomic layer epitaxial growth of va - via compound semiconductor nano thermoelectric films.docx

摘要纳米薄膜热电材料在集成电路微电子光电子技术领域和生物芯片医疗器材及 国防军工领域都有非常诱人的应用前景 然而当前其主要制备方法分别存在原材料成本 高高温生长工艺复杂环境污染等一系列问题本论文采用电化学沉积与原子层外 延相结合形成一种低成本过程易控室温沉积环境负荷小的新方法电化学原子 层外延法Electrochemical Atomic Layer Epitaxy; 以下简称 ECALE首次成功外延生 长出了 Bi2Te3Sb2Te3 纳米薄膜热电材料通过电化学分析X 射线衍射分析(XRD) 能量弥散 X 衍射分光计(EDX)扫描电子显微分析(SEM/FESEM)电子探针显微分析 (EPMA)光电子能谱分析(XPS)红外光谱分析(FTIR)等多种分析测试手段研究优化 了纳米薄膜热电材料的沉积工艺 探讨了纳米薄膜热电材料的沉积生长热力学规律等基 础科学问题本论文首次采用 ECALE 法制备 Bi2 Te3Sb2Te3 VA-VIA 族化合物纳米薄 膜热电材料是一项非常有意义的创新性探索对发展薄膜热电材料及其器件的新型制 备方法进一步提高其热电性能拓宽其应用范围都有重要的学术研究价值和广阔的应 用前景 本文第一部分首先介绍了热电效应及其应用 材料的热电效率及提高材料热电效率 的途径 并对热电材料的研究进展 纳米薄膜热电材料制备方法 以及电化学原子层外 延的特点及欠电势沉积的基