wdm-pon用单片集成光源芯片的理论与实验研究-theoretical and experimental research on monolithic integrated light source chip for wdm - pon.docx

独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他 个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集 体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本论文属于保密□，在年解密后适用本授权书。不保密□。（请在以上方框内打“√”）学位论文作者签名：指导教师签名：日期：年月日日期：年月日摘要波分复用无源光网络（WDM-PON）系统以其高容量、大带宽等特点使其成为 下一代光接入网中最具前景的方案之一。而低成本、高性能的光电子器件则是 WDM-PON 系统在未来能否取得成功的关键。单片集成光源器件相比传统的分立器 件封装成本低、器件性能强，因此是未来 WDM-PON 系统用光电子器件发展的必然 方向。本文从光电子器件理论建模出发结合器件制作工艺，针对 WDM-PON 中的低 成本光源器件进行了深入的理论与实验研究，开展了以下几个方面的研究工作：运用 k ??p 理论模型，对半导体量子阱材料增益谱进行了理论计算，分析了量子 阱应变量及阱宽等参量对半导体材料能带结构及增益谱的影响。讨论了不同应用下， 量子阱结构设计的原则与要求。基于时域传输矩阵模型及材料增益计算模型，开发了半导体激光器器件模拟平 台。基于本平台，对分布布拉格反馈（DFB）半导体激光器的空间烧孔效应进行了 模拟仿真。详细讨论了在光栅结构设计中集中相移、分布相移、多相移、分布反馈 系数等参量对 DFB 半导体激光器空间烧孔效应的影响。分析讨论了光栅归一化耦合 系数对 DFB 激光器调制特性的影响。使用新型动态模型分析半导体激光器，根据器件中有源区波导与无源区波导的 不同特点分别采用时域模型及频域模型，而后通过数字滤波器的方法将两者有机地 联系起来。并通过数字滤波器法考虑了器件增益谱的非平坦效应。利用该新型动态 分析模型，对双微环耦合半导体激光器这一新型低成本、高性能的可调谐激光类型 进行了时域静态及动态分析。主要分析讨论了微环耦合系数及损耗对器件 P-I 特性、 小信号调制特性、大信号调制特性以及波长切换特性的影响。使用波束传输（BPM）算法设计并优化了 InP 基四通道、八通道多模干涉（MMI） 器件以及 16 通道阵列波导光栅（AWG）器件。系统地讨论了 MMI 器件中，制作工 艺误差对器件损耗以及带宽的影响。详细讨论了 AWG 的性能估算的解析方法，利用 该方法研究了 AWG 器件中阵列波导间距及阵列波导喇叭口（Taper）宽度对器件插 损均匀性及中心通道插损的影响。基于研究结论，设计了 InP 基 AWG 器件，并利用IBPM 算法对 AWG 器件进行了性能模拟，设计指标符合预期。使用纳米压印技术制作 DFB 激光器掩埋光栅，针对直接使用纳米压印胶后，掩 埋生长质量不佳，出现大量位错的问题，提出了多层掩膜去除纳米压印胶残胶的方 法。该方法大大提高了光栅掩埋质量，极大地降低了最终器件的阈值，达到商用标 准。对金属有机物气相沉淀（MOCVD）对接生长工艺进行了系统地研究。讨论了介 质膜刻蚀以及 InP 刻蚀方法对最终对接生长质量的影响。改进了湿法腐蚀策略，并 调整干法刻蚀参数，最终完成了高质量的对接材料生长。结合前述纳米压印工艺， 提出了前置光栅制作而后对接生长的新工艺顺序，解决了对接生长工艺后，有源区 表面相对无源区表面凹陷，纳米压印工艺难以实施在有源区的问题。采用新工艺， 完成了高质量内藏光栅单片集成外延材料的制备。系统地研究了等离子诱导量子阱混杂单片集成工艺，提出了基于灰度掩膜的等 离子诱导量子阱混杂方法，实现了同一外延片上多个带隙及连续带隙的横向集成。 详细研究讨论了掩膜版占空比及条纹宽度对等离子诱导量子阱混杂程度的影响。研究了单片集成器件中多种波导结构横向单片集成问题。提出了新型自对准光 刻工艺。利用光刻胶上生长二氧化硅，并进一步使用 lift-off 工艺剥离二氧化硅的方 式，实现了多种去除方式的多掩膜自对准套刻，完成了多种波导结构横向单片集成 的高质量制作。在前述理论设计及相关配套工艺研究的支持下，实际制作了用于集成的各种分 立器件包括 16 通道 1550nm 波段密集波分复用（DWDM）阵列激光器、4 通道 1310nm 波段粗波分复用（CWDM）阵列激光器、4 通道 InP 基 MMI 耦