三电平逆变器直接转矩控制系统的研究-电气工程及其自动化专业论文.docxVIP

火原到l人学硕个研究生学位论艾功率半导体的关键技术还掌握在少数儿个问外大企业手中，同内的功率半哥体制造技术虽然有了-定的发展，如当前国内的浙江华芯等公司已经能够生产lGBT，但是技术水平还比较低，国内的功率半导体公司与国外同类公司的差距不是细校水节的差距，无论在产品的技术水平还是产品的制造工艺等方面，都比国外落后10年以上，目前国内功东半导体功率器件市场占有翠的同íj十位公司中无一是国内厂家，便是当前国产功率半导体技术水平乎的真实写照，囚内功率半导体技术的落后，归根结底还是相关人才的缺乏，尤其是高端人才的缺乏，这不是知8，Jfi:lJ内所能赶卡世界先进水平的，这需要国家的革视和l企业的持续投资。现在网家越来越重砚功率半导体行业的发展，很多的优惠政策已经山台，无挝我国的功率半导体行业将迎来-个新的发展契机12.3]。1.3高压变频器的原理与结构低压中小功率的变频器采用两屯平逆变技术，.L主技术经过多年的发展已经比较成熟，但由丁逆变器使用的功率开关器件的耐压较低，并且高压变频器的技术含量更高，冈此传统的两电平逆变技术不能直接移植到高压变频器。目前，工业现场使用的高压变频器不像低压变频器那样拥有统一的拓扑结构，这是由高!在变频器的实现方式不同决定的。系统的成木问题、i皆被问题、放系问题、可靠性问题依然是高压变频器要重点解决的问题，而系统的冗余设计问题在低).h变颇括中出于成本太高一般不做考虑，但在高压变频器中低成本的冗余设计将火大提高整个系统的可靠性2所以便于进行冗余设计也是衡量高压变频器拓扑结构好坏的一个标准I匀。本文仪介绍几种当前市场上常见的主流电压源型自压变频器的拓扑结构I.?l。l.功率单)G串联型多电二jL电压源型逆变器美国罗宾康公司生产的功菜单元串联型多电平电压源型逆变端功率等级沼罔为315kW-IOMW，目前国内有超过气十三家企业生产的高压变频器采用i反种结构。以种拓扑结构的高压变频器采用了二项新的高压变频技术:一是在输出逆变部分采用了具有独立电源的单相桥式SPWM逆变器的直接串联叠加;二是在输入整流部分采用了多才kl多竟在加整流技术，三是在结构k采用了功率单元模块化技术。该种拓扑结构的高压变频器输入功率因数可达0.95以上，电压皆被畸变率THDI%，总体效率(包括输入隔离变压器)高达97%，所以也称作完美元i皆被变频器。该杀l拓扑结构实质L是采用的多重化技术，即逆变器的每相由几个低压PWM功率单元串联而成，各功率单元由一个多统组的隔离变压器供电。图1-1为主电路采用该种拓扑结构的6kV高压变频器，变频器每才自由5个额定咆压为690V的功率单元串联组成，故柑咆压为3450V，线电压为6000V，更高的电压等级采用更多的功率单元串联来实现。6kV高压变频器要使用15个功率单元，因此输入隔离变压器要有15个二次绕组，各绕组依次有12。的相位差。因I-l(c)是逆变器每个逆变功率单元的结构阁，3太原理。|入学硕±研究t干仿论文6kV(YJ高压交J烦:IS要使用150只功率器件，其中90只功率二极管.60只低陀lGBT板块。人入俄战、lJhd(因1-1功且在单元串联型高压交织gFig.I-1Voltageinverterwithpowerunilseries(c)i左手中拓扑结构的高压变频器优点和缺点都比较明显，优点是变频器的输入输出皆被含量低，而且串联的功率单元可以采用技术成熟的低压;如1.1.2扭扭快，山于采阳模块化设计，方便系统的冗余设计:缺，但是使用的功率单元和功率器件太多，装壳的体积太大，重量大!此日，要使用价格昂岚的输入移相变压器。2.功率H关直接串联型逆变器为提高逆变器母线承受电压的能力，也可以采用功率开关直接串联的方法。rλ因1-2功率开关串联型高压交织器Fig.I-2Voltageinverterwithpowerswitchseries图)-2是成都佳灵公司的电压源型高压变频器的主电路拓扑结构，该电路完全来4;.Uf.iJ里r人:::t员才好究尘学{可i全文用低压变频器的控制方法，整流和li逆变部分都采用功率开关盲，接串联的方式e该种高JJ5:变频器的优点是结构简单，控制方法可采用低压变频器的拎制方洁，实现容易;但是i炙手中高压变频器的缺点也比较明显，功率器件在串联使用时，因为各器件的功法;吧阻和极屯容不同，而存在静态和动态均压的问题。如果采用与器件并联电阻只和阻容RC的均压措施，会使电路复杂，损耗增加，同时，器件的串联要求串联器件同时导通和共断，否则由于各器件刀断时间不，承受电压不均，会导致器11损坏甚至整个装置崩段，另外逆变器输入端采用6JTk波:艳流的方式，ì皆被含量高，逆企器输出相吼压是两电平，电压变化学du/dt很大，对电机的绝缘要求高，而且输州i皆被较火，需要设计专门的滤波器。罗克韦尔公司和A?