多晶硅的生产及现状.pptVIP

多晶硅的生产及现状 多晶硅的生产主要有化学法和物理 多晶硅的生产工艺 1.改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法 改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。 国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。 改良西门子法的生产流程，见下图。 2.硅烷法——硅烷热分解法 硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。 3、流化床法 以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。 唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。 多晶硅生产方法对比见下图： 4、太阳能级多晶硅新工艺技术 （1）.冶金法生产太阳能级多晶硅 主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。 （2）.气液沉积法生产粒状太阳能级多晶硅 主要工艺是：将反应器中的石墨管的温度升高到1500℃，流体三氯氢硅和氢气从石墨管的上部注入，在石墨管内壁1500℃高温处反应生成液体状硅，然后滴入底部，温度回升变成固体粒状的太阳能级多晶硅。 （3）重掺硅废物提纯法生产太阳能级多晶硅 据美国CrystalSystems资料报导，美国通过对重掺单晶硅生产过程中产生的硅废物提纯后，可以用作太阳能电池生产用的多晶硅，终极本钱价可看控制在20美元/Kg以下。 行业现状 目前，全球高纯度晶体硅的供应基本上处于国际7大厂家的垄断之中，主要分布在德国、日本、美国、意大利以及挪威等国家。7大厂家的总产量约占世界总产量95%以上。 国外多晶硅生产7大厂家年产能力一般都在1000t以上，2004年多晶硅生产能力28800t。而我国2004年前仅剩1家多晶硅厂，年生产能力不足100t（国外临界经济规模为2000t/a）,仅占2004年全世界产能的3％左右。由于生产规模过小，不能形成优势，缺乏市场竞争力，难以参与国际竞争。 目前在建的有：.四川新光硅业科技有限责任公司：建设规模年产多晶硅1000t，二期将超过4,000吨，引进俄罗斯工艺技术。.洛阳中硅高科技有限公司：建设规模年产多晶硅300t，利用国内试验成果的产业化工程。预计2007年相继建成投产，在建二期3,000吨。.云南曲靖爱信硅（计划3,000吨）、宁夏石嘴山（计划4,000吨）、湖北宜昌（计划4,500吨）等，累计总产能超过2万吨。 多晶硅市场前景 我国太阳能资源非常丰富，大多数地区年平均日辐射量在每平方米4千瓦时以上，理论储量达每年1.7万亿吨标准煤，太阳能资源开发利用的潜力非常广阔。 为了增强我国硅材料工业竞争实力，必须增大科研开发的投入，包括国家的与企业的投入，尤其是估计的投入更为重要，国家和政府的直接介入，使发展我国硅材料的关键。国外硅生产厂家的科研开发费用占销售额的5%或更高，而我国的科研开发费用远低于此。将近期的科研开发与长期科研攻关相结合，作好科研成果向生产力的转化工作。 Thank you！ 改良西门子工艺技术 主流成熟技术（国外80%、国内95%采用该技术），闭环清洁生产；有进一步节能、降耗、减排潜力。 硅烷法工艺技术 电耗相对较低，有节能优势；大规模生产中的安全风险、废物循环处理等问题有待解决； 冶金法工艺技术 投资低、流程短，成本低；目前产品纯度与质量稳定性有待提高，以实现规模化生产和应用