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第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 §8.1 引言 光刻是IC制造业中最为重要的一道工艺 设计功能模块，利用软件在功能模块之间布线。 用工具检查是否有违反设计规则(design rule)。 用电路级和系统级模拟工具预测电路性能 从设计转移到掩膜版制备，用扫描电子束或激光束在光掩膜版上形成图形。 光学曝光，对硅片进行光刻。 Mask Definition 用一个工艺中所需要的光刻次数或者掩膜版的多少来衡量该工艺的难易程度。 一个典型的硅集成电路工艺包括20多块掩膜版 通常我们所说的0.13?m,0.09?m工艺就是指的光刻技术所能达到最小线条的工艺。 第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 光刻流程－Lithography Process 在硅片上涂一层光刻胶，经过曝光在某些区域感光，经显影后留下胶膜的图形，再把这层胶膜的图形作为掩膜，进一步对其下的SiO2进行腐蚀，或者进行离子注入等，把胶膜上的图形转换到硅衬底的薄膜上去。 光刻技术可分为三个部分 光源(light sources) 曝光系统(exposure system) 光刻胶(photoresist) 光源－Light Source 降低器件特征尺寸(feature size),要求采用短波长的光源 一般光刻用的光源：高压汞灯(Hg Arc lamp),可以产生多种波长的光。 G-line: 436nm; I-line: 365nm; 准分子激光(Excimer laser)：DUV KrF(248nm); ArF (193nm) X射线(0.5nm)，电子束(0.62?)，离子束(0.12 ?) 硅片曝光系统(Wafer exposure system) 完成前后两次光刻图形的精密套刻 对光刻胶进行曝光 曝光分类 接触式(Contact) 接近式(Proximity) 投影式(Projection) 第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 § 8.3 光刻光学 (optics of lithography) 光刻的基本要求 基本光学概念 曝光分类 掩膜版工程 § 8.3 光刻光学 (optics of lithography) 光刻的基本要求 基本光学概念 衍射 数值孔径 分辨率 曝光分类 掩膜版工程 光的衍射效应 光在空间中以电磁波的形式传播 当物体的尺寸远大于波长时，把光作为粒子来处理 当物体的尺寸和波长可比拟时，要考虑光的波动性－衍射 衍射光学 光在传播过程中绕过障碍物边缘而偏离直线传播的现象，称为衍射。(Diffraction) 如果孔径的尺寸和波长相当，光在穿过小孔后发散。小孔越小，发散得越多。“bending of light” 衍射光学 衍射分类 Fresnel diffraction or near field diffraction: 像平面和孔径很近。光直接穿过孔径到像平面，无中间透镜系统 Contact print and proximity print Fraunhofer diffraction or far field diffraction 像平面远离孔径，孔径和像平面之间有透镜，来捕捉、聚焦图像 Projection print 点图像的分辨率 数值孔径(Numerical Aperture NA) 光学系统的数值孔径描述透镜收集光的能力 分辨率-Resolution § 8.3 光刻光学 (optics of lithography) 光刻的基本要求 基本光学概念 曝光分类 掩膜版工程 曝光方式 接触式曝光 Contact printing 光学接近式曝光 Optical proximity printing 扫描投影曝光 Scanning projection printing 接触式曝光 Contact printing 掩膜版和硅片紧密接触 – Fresnel diffraction Mask Image: Resist Image = 1:1,不受衍射现象限制, 分辨率高，可达到0.5 ?m 必须加压力，会使胶膜剥离； 易沾污，掩膜版易损坏成品率下降。目前在生产中很少使用。 由于光刻胶顶层平面不平，所以该曝光方式中间隔并不严格为0 接近式曝光－proximity pr