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磁控溅射cu2o-tft的制备及性能分析-preparation and performance analysis of cu2o - tft by magnetron sputtering.docx

磁控溅射cu2o-tft的制备及性能分析-preparation and performance analysis of cu2o - tft by magnetron sputtering.docx

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磁控溅射cu2o-tft的制备及性能分析-preparation and performance analysis of cu2o - tft by magnetron sputtering

摘要摘要II摘 要随着显示技术的发展,氧化物 TFT 由于其具有高透过率、载流子迁移率和可 以低温制备等优点,已经成为了研究热点。但是目前的氧化物 TFT 主要集中于 n 型,比如 IGZO-TFT,ZnO-TFT 等,p 型氧化物 TFT 材料基本上很少,且性能远 远达不到 n 型 TFT 的水平。而且 P 型氧化物 TFT 不仅仅只局限于 AMLCD 和 AMOLED 中的应用,还可以与 n 型氧化物 TFT 结合在一起形成全氧化物的 CMOS 和 p-n 二极管。因此,很有必要展开对于 p 型氧化物的研究。本文中,采用磁控溅 射法制备了有源层 Cu2O 薄膜并研究了其性能,制备了 Cu2O-TFT 并研究了其电学 性能,主体内容分为以下三个部分:1. Cu2O 薄膜的制备。以金属 Cu 为靶材,采用用射频磁控溅射法在普通玻璃 衬底上制备出薄膜样品。探索出制备纯相的 Cu2O 薄膜工艺具体参数是:溅射功率 为 50W、氧氩比为 5sccm/70sccm、工作压强为 1.8pa。在上述工艺条件下,研究了 不同衬底温度对 Cu2O 薄膜薄膜的结构和光学性能的影响,结果表明衬底温度的升 高有助于薄膜生长质量的提高。研究了不同 Cu2O 薄膜厚度对于光学性能的影响, 结果表明薄膜的透过率随着薄膜厚度的增加而减小。2.Cu2O-TFT 的制备。实验过程中以重掺杂的 p-Si 作为衬底及栅极,SiO2 为 栅极绝缘层,利用磁控溅射的 Cu2O 薄膜为半导体有源层,电子束蒸发法制备的 Al 薄膜为源漏电极 ,采用光刻工艺和剥 离工艺 制 备出 了 底 栅 顶 接 触 型 的 Cu2O-TFT。研究了不同有源层厚度对于 TFT 电学性能的影响,结果表明 TFT 器件 性能随着有源层厚度增加有从变好再到变差的趋势,当有源层 Cu2O 薄膜厚度为 105nm 时迁移率为 6.1×10-2 cm2/Vs、开关比为 4.5×102。3. 研究了经过热处理后的 Cu2O-TFT 的电学性能的变化,结果表明热处理能 够有效的降低有源层薄膜中的缺陷,最终提高器件的电学性能。最后对 TFT 的稳 定性进行了分析。关键词: 磁控溅射,Cu2O 薄膜,薄膜晶体管ABABSTRACTIIIIABSTRACTWith the development of display technology, the oxide TFT has become a hot topic for resurch. The oxide TFT has some advantages, such as high transmittance、carrier mobility and can be prepared at low temperatures. However, the current focus on theoxide n-type TFT, such as IGZO-TFT ZnO-TFT. In contrast, there have been only a few reports on p-channel TFT because of lack of naturally p-type oxide semiconductors and difficulty in high-quality film growth. The P-type oxide TFT is not only limited to the applications in AMOLED and AMLCD, but also can be combined with n- type oxide TFT to form all oxide TFT CMOS and p-n diodes. Therefore, it is necessary to research the p-type Oxides. In this paper, Cu2O films was prepared using magnetron sputtering and studied its properties; fabricated different thickness of Cu2O-TFT and studied theirelectrical properties. This thesis consists of the following three parts:The preparation of Cu2O films. Cu disk (99.99%) was used as the sputtering target.The samples were deposited on glass substrates by

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