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第三章;电阻材料是指常用的电阻器、片式电阻器、混合集成电路中的薄膜和厚膜电阻器、可变电阻器和电位器等所用的电阻体材料。 主要包括线绕电阻材料、薄膜电阻材料和厚膜电阻材料。;3.1 电阻材料概述;3.1.2 电阻率和膜电阻;3.1.3 电阻与温度的关系;1.纯金属;2.合金材料;3.金属和合金薄膜电阻材料;4.合成型电阻材料;5.半导体电阻材料;3.1.4 电阻材料的电压特性;3.1.5 电阻材料噪声;3.2 线绕电阻材料;3.2.2 贱金属电阻合金线;3.2.3 贵金属电阻合金线;3.3 薄膜电阻材料;3.3.1 碳基薄膜;2.硅碳膜;3.3.3 金属膜电阻;;从微观上看，金属膜属于无定形结构或微晶组成的结构，晶粒尺寸通常为1 nm，金属薄膜材料中，由于金属熔点和蒸汽压不同，形成的膜层结构往往有较大差别。如合金粉中有钨、钼等难熔金属，形成的薄膜为无定形结构；合金粉中含有铁、镍、铬等中熔点金属，可制成均匀的固溶体合金薄膜，薄膜没有择优取向，属于多晶结构；合金粉中有低熔点金属，形成具有择优取向，晶粒大的多晶薄膜。 膜层的结构和性能跟热处理有关。 制造金属薄膜时，对基体表面的清洁度和粗糙度的要求比较严格，一般在蒸发前，要对基体进行煅烧和清洁处理。;2.化学沉积金属膜;3.3.4 镍铬薄膜电阻;1.纯镍铬薄膜;蒸发和溅射薄膜的方阻与Cr含量有关，随着Cr含量增加，薄膜的方阻也增加。 NiCr薄膜成分对电阻温度系数有显著影响，Ni含量为40％时，电阻温度系数最小。 用蒸发法制备薄膜时，随着膜厚变化，膜的成分、密度都会发生变化。 ;蒸发和溅射的薄膜性能很不稳定，一般要进行热处理，热处理中NiCr薄膜的电阻温度系数、电阻率、膜的成分都会发生变化。;2.镍铬铝薄膜;NiCrAl薄膜的方阻与厚度有关，随着膜厚的增加，方阻降低；反之，方阻增加； 对新制得的NiCrAl膜要经过热处理提高薄膜稳定性，经过热处理，可使薄膜电阻温度系数由正到负变化。;在镍铬铝基础上加入镱（Yb）、镧（La）、钪（Se）、铒（Er），可以分别制得镍铬铝镱、镍铬铝镧、镍铬铝钪、镍铬铝铒薄膜，它们具有电阻率高、电阻温度系数小、稳定性高的特点，适于制造高稳定性的电阻器。 在镍铬硅基础上适量加镧、镱、铒制成镍铬硅镧???镍铬硅铒薄膜，它们具有高阻值、低电阻温度系数、高稳定性。 在镍铬中掺入金，可制得镍铬金薄膜，可用于制作低方阻和低电阻温度系数的电阻器。;3.其他改性镍铬薄膜;3.3.5 金属陶瓷电阻薄膜;2.钛—二氧化硅薄膜;3.3.6 铬—硅电阻薄膜;不同的制备工艺也会影响铬—硅薄膜的性质。热处理可以降低电阻温度系数，调整电阻率，改善薄膜的电性能；在溅射中通入微量的氧进行反应溅射可以提高薄膜的电阻率，使电阻温度系数更负。;3.3.7 钽基电阻薄膜;1.氮化钽膜;2.钽铝合金薄膜;TaAlN薄膜是采用反应溅射法制得的电阻薄膜，其薄膜电阻率比TaN膜进一步提高。制备时反应气体用高纯的氮气，氮分压对薄膜电阻率和电阻温度系数都有很大影响。氮分压增加，电阻率急增，电阻温度系数向负方向增大。 TaAl和TaAlN薄膜都可以采用阳极氧化法调阻，在表面生成氧化物，膜厚减小，方阻增大，稳定性提高。 Al的摩尔分数为50％的TaAl膜稳定性好，适于作精密电阻网络。;3.钽硅合金薄膜;热处理会影响TaSi薄膜的电阻率，温度升高，电阻率减小，逐渐趋于平坦。;3.3.8 复合电阻薄膜;3.4 厚膜电阻材料;2.粘结相;3.4.2 钌系厚膜电阻材料;1.钌系厚膜导电材料;（2）钌酸铋及其衍生物;2.钌系厚膜电阻粘结剂;3.钌系厚膜电阻有机载体;（3）钌酸铋衍生物厚膜电阻;5.影响钌系厚膜电阻性能的因素;（3）加入补偿杂质改善电阻温度系数;3.4.3 钯银厚膜电阻;5.钯银厚膜电阻的性能;