自对准顶栅TFT研究方案8.docxVIP

自对准顶栅TFT研究方案研究意义及现状：非晶氧化物半导体（AOS）被认为是很有潜力的半导体材料，将可能广泛的用于平板显示，目前，以非晶IGZO为代表的氧化物TFT得到了广泛的研究，a-IGZO TFT具有高迁移率，均匀性好，透光率高，工艺温度低。IGZO底栅TFT的研究日趋成熟，但底栅TFT背沟道在等离子体环境如干法刻蚀源漏电极和生长钝化层时易受到影响，等离子体轰击对其会造成损伤，影响TFT的性能；另外，若要实现底栅TFT的自对准须进行背面曝光，增加了工艺复杂度，普通的底栅TFT存在较大的交叠区域，因此寄生电容较大，不利于缩小器件尺寸，减小驱动电路的工作速度。顶栅结构不存在背沟道刻蚀损伤问题，且栅介质位于有有源层之上，起到了保护作用，顶栅TFT可以通过正面曝光和干刻法实现自对准，不存在交叠区域，工艺简单且有兼容性。目前顶栅自对准结构实现的方法是：有源层包括源区、漏区和沟道区，在源区和漏区自对准后，对源区和漏区进行处理，降低电阻率，作为源电极和漏电极。对源区和漏区的处理方法主要有：Ar等离子体轰击；掺入H；掺B、P、As；IGZO表面覆盖Al膜，退火后降低IGZO电阻率。掺入H等元素，可以作为施主提供电子，提高了IGZO的电导率；通过等离子体轰击导致金属与氧之间的键断裂，质量比较轻O逸出，增加了IGZO的氧空位，增加了氧空位，提高了IGZO的电导率。研究目标：顶栅TFT有实现自对准的优势，可以避免背面曝光，以具有栅电极图形的光刻胶为掩膜版对栅电极和栅介质进行刻蚀或者以栅电极为掩膜版对栅介质进行刻蚀实现自对准结构。在IGZO自对准顶栅TFT中，源、漏区及沟道均为IGZO，在实现源区和漏区自对准后，利用N2等离子体对源、漏区IGZO进行处理，降低源区和漏区的电阻率，完成TFT。研究内容：一、N2等离子体对IGZO薄膜的处理设备：等离子清洗机、RIE在之前的实验中发现，在等离子清洗机和RIE中用N2等离子体对IGZO薄膜进行处理可以有效的降低其电阻率，从2.5×105Ω?cm（估算）降低到约1×10-2Ω?cm甚至更低（1）等离子清洗机中N2等离子体处理IGZO薄膜，电阻率随处理时间的变化，IGZO薄膜厚度为80nm，等离子清洗机功率150W，工作气压120Pa(以上条件均暂定)：时间方块电阻电阻率（Ω?未处理0.5min1min3min5min10min20min30min表1 IGZO表1 IGZO薄膜电阻率随处理时间的变化（2）等离子体清洗机中N2等离子体处理IGZO薄膜，电阻率随IGZO薄膜厚度的变化，等离子清洗机功率150W，工作气压120Pa,处理时间5min（以上条件均暂定），厚度方块电阻电阻率（Ω?10nm20nm40nm80nm表表2 IGZO薄膜电阻率随厚度的变化二、自对准顶栅IGZO TFT自对准顶栅IGZO TFT的机构如下图：图一 图一 结构示意图工艺流程：1、在玻璃衬底上采用射频溅射法淀积IGZO，采用剥离或者腐蚀的方法形成IGZO岛，作为有源层；2、PECVD生长一层SiO2，作为栅介质；3、射频溅射生长一层ITO，采用剥离或腐蚀法形成图形，作为栅电极；4、以栅极为掩膜版，RIE刻蚀SiO2,形成自对准结构；5、N2等离子体处理源、漏区IGZO，形成电阻率较低的源漏电极。工艺参数：工艺或材料参数玻璃片4inchIGZORFMS 80W，Ar:O2=49:1或48:2，工作气压0.6Pa，厚度40-50nmSiO2PECVD 30W，SiH4:8，N2O:1140，N2:500，工作气压900mTorr，温度300℃，,200nm,ITORFMS 80W，Ar:50，工作气压1Pa，厚度100nmRIE刻蚀RF100W，SF6:10，工作气压0.8Pa，刻蚀时间180SN2等离子体处理等离子清洗机 150W，N2:500，工作气压60-70Pa，20min三、后期工作后续实验，在以上基础上研究不同氧分压IGZO有源层和不同厚度IGZO有源层的器件性能，研究氧分压和厚度对TFT性能的影响。