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一款低成本硅PIN光电二极管偏置电路设计及应用 　　摘 要： 硅PIN光电二极管在微弱光信号检测领域的应用越来越广泛，但其效果会受到偏置电压等因素的影响，稳定性高、纹波系数小的偏置电压对准确获得被测信号来说是必不可少的。设计一款基于TPS61040电压转换芯片的硅PIN光电二极管偏置电路，并将其用于NaI（Tl）晶体的微弱光信号检测，取得了良好的效果。 　　关键词： 硅PIN光电二极管； 偏置电路； 电子滤波器； 闪烁探测器 　　中图分类号： TN710?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）13?0159?03 　　Design and application of low?price bias circuit for Si?PIN photodiodes 　　JIA Mu?lin1， ZENG Guo?qiang2， MA Xiong?nan3 　　（1. Guangxi Radiation Environment Supervision and Management Station， Naning 530222， China； 2. Chengdu University of Technologe， Chengdu 610059， China； 　　3. China Institude For Radiation Protection， Taiyuan 030006， China） 　　Abstract： The Si?PIN photodiodes have been more and more widely used in the areas of weak light signal detection， but the result of detection is more likely affected by bias voltage and other factors. The high?stability bias voltage with low ripple coefficient is essential for accurately achieving the detected weak light singal. A Si?PIN photodiode bias circuit based on TPS61040 DC/DC boost converting chip was design and applied to the weak light signal detection of the NaT （Tl） scintillator. A good result was achieved. 　　Keywords： Si?PIN photondiode； bias circuit； electronic filter； scintillator detector 　　硅PIN光电二极管（以下简称SPD）作为一种成熟的半导体光电器件，因其特有的优势在自控、通信、环保、医疗及高能物理研究等领域得到了越来越广泛的应用，但其使用极易受所加偏置电压的影响。因此，在实际应用中对SPD上所加的偏置电压的要求非常苛刻，必须具备很低的纹波系数和良好的稳定性，这也就造成常用的SPD偏置电路成本较高。针对这一情况，本文将介绍一款基于TPS61040电压转换芯片的偏压电路设计，并将其应用于NaI（Tl）+SPD辐射探测器的信号检测。 　　1 硅PIN光电二极管与偏置电压关系 　　1.1 SPD及其偏置电压简介 　　与普通光电二极管相比，SPD是由中间隔着本征层的PN结构成。当在PN两端外加反向偏压时，内建电场几乎集中于I层，使得耗尽层厚度加大，增大了对光子的吸收和转换有效区域，提高了量子效率；同时，PN节双电层间距加宽，降低了器件本身的结电容，如图1所示。使得器件的响应速度提高，有利于在微弱光脉冲信号检测领域的运用；此外，结电容的降低减小了信号电荷在其上的分配，有利于为前置放大电路输入更多的原始信号电荷。 　　图1 偏置电压与结电容关系 　　1.2 偏置电压电平选择 　　但偏置电压不是越高越好，原因是SPD的暗电流随偏压的增加而增加，如图2所示。当偏压超过一定值时，暗电流随偏压呈线性增长趋势，使得整个系统的信噪比迅速降低。在进行微弱光信号检测时，若所加偏压自身噪声较大，将直接影响到有用信号的提取，甚至可能将有用信号完全湮没。综合SPD的特性曲线和实验结果，一般将偏置电压设定在24 V。 　　图2 偏置电压与暗电流关系 　　2 偏置电路设计 　　2.1 升压芯片确定 　　通常，便携式仪器配用的电源电压为较低，无法满足SPD偏置电压电平24 V的要求，须进行升压处理。目前，主要选用APD（雪崩