刻蚀间工艺123.ppt

主要内容 一、干法刻蚀 二、湿法刻蚀 三、干法刻蚀和湿法刻蚀简单比较 四、常见的异常及处理对策 什么是湿法刻蚀 化学腐蚀 在半导体生产中，半导体材料或金属等材料与腐蚀液发生化学反应，从而去除材料表面的损伤层或在材料表面获得一定形状的图形过程。 湿法刻蚀 湿法刻蚀其实是腐蚀的一种，是对硅片边缘的腐蚀，但不影响太阳电池的工艺结构。 HF/HNO3体系，利用其各向同性腐蚀特性，使用RENA in-line式结构的设备，利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。 HF/HNO3体系腐蚀机理 硅在HON3+HF溶液中的腐蚀速率大，而在纯HNO3或纯HF溶液中的腐蚀速率很小。 HF/HNO3体系腐蚀机理 根据这一特性，我们可以把常用的酸性腐蚀液（通常由不同比率的硝酸（HNO3）,氢氟酸（HF）及缓冲液等组成）的腐蚀机理分为两步： 1.利用硝酸（HNO3）氧化硅片表面 Si+2HNO3?SiO2+2HNO2 2HNO2?NO+NO2+H2O 2.利用氢氟酸（HF）与氧化硅生成可溶于水的络合物． SiO2+6HF?H2SiF6+2H2O HF/HNO3体系腐蚀机理 大致的腐蚀机制是HNO3 (一种氧化剂)腐蚀，在硅片表面形成了一层SiO2，然后这层SiO2在HF 酸的作用下去除。 在低HNO3及高HF浓度区，生成SiO2的能力弱而去除SiO2的能力强，反应过程受HNO3氧化反应控制，所以腐蚀曲线平行于等HNO3浓度线 。 在低HF高HNO3浓度区，生成SiO2的能力强而去除SiO2的能力弱，反应过程受HF反应控制，所以腐蚀线平行于HF浓度线。 HF/HNO3体系腐蚀机理特点 HF/HNO3体系腐蚀液的选择 湿法刻蚀特点 利用表面张力和毛细作用力的作用去除边缘和背面的N型。 刻蚀槽溶液流向图 刻蚀反应为氧化，放热反应. 刻蚀槽液面 刻蚀槽硅片生产时正常液面 刻蚀槽前后硅片状态比较 此为生产mono125-150硅片时图片 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所产生的P形硅电势不强）； 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）； 3、节水（kuttler使用循环水冲洗硅片，耗水量小。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大） 。 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点 1、硅片水平运行，机碎高.（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小） 2、传动滚轴易变形.（PVDF，PP材质且水平放置易变形） 3、成本高.（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加） 常见的异常及处理对策 产线异常描述 原因分析 处理措施 1，过刻现象 泵浦功率过大，液面过高 降低泵浦功率 2 ，过刻现象 抽风不稳导致液位浮动 调整抽风后正常 3，刻蚀不足 泵浦功率过低，液面过低 增大泵浦功率 4，片子局部区域过刻 2槽后部分片子边缘有小水滴 手动添加HF，并 调整3#槽抽风后正常 5 高温报警 冰水机故障 报设备维修 6 减薄量偏小 溶液浓度偏低/带速过 3#槽手动添加药液/减带速 7 减薄偏小且边缘刻蚀不透 溶液浓度偏低 手动加3号槽药液 8 测试出现零效片 PSG放反片 要求员工放片时注意扩散面 9 减薄量严重偏小 药液失效 重新配槽 10 减薄量小，部分片子刻蚀不透 药液浓度低 手动添加HF和HNO