第8章MOSFET短沟道效应.docVIP

PAGE PAGE 8第8章 MOSFET的短沟道效应MOSFET的沟道长度小于3um时发生的短沟道效应较为明显。短沟道效应是由以下五种因素引起的，这五种因素又是由于偏离了理想按比例缩小理论而产生的。它们是：由于电源电压没能按比例缩小而引起的电场 增大；内建电势既不能按比例缩小又不能忽略；源漏结深不能也不容易按比例减小；衬底掺杂浓度的增加引起载流子迁移率的降低；亚阈值斜率不能按比例缩小。亚阈值特性我们的目的是通过MOSFET的亚阈值特性来推断阈值电压到底能缩小到最小极限值。对于长沟道器件而言，亚阈值电流由下式给出也可以写成如下的形式式中的为单位面积耗尽区电容。是热电压，，在大于几个热电压时有对上式两边取对数上式也可以写成从式（8.4）中可以看出，当时，即当栅－源电压等于亚阈值电压时有亚阈值电流：为了使时，器件可以关断，我们可以令（8.4）中的，则有如果规定关断时（当）的电流比在（当）的电流小5个数量级，式(8.7)和式(8.8)的两边相除则有得到亚阈值电压的最小值为如果则亚阈值电压的最小值是。如果还想将阈值电压降低到400mV左右，那么就要减小的值，使。考虑到温度对阈值电压的影响，按比例缩小阈值电压将更加困难。阈值电压的温度系数。导致阈值电压在温度范围（0－85℃）内的变化是85mV。制造工艺引起的最小变化也在50mV之间。工艺和温度引起的变化合计为135mV左右。因此，对增