半导体材料第9讲IIIV族化合物半导体外延生长.pptVIP

半导体材料 III-V族化合物半导体的外延生长 第七章III-V族化合物半导体的外延生长 内容提要： 气相外延生长VPE 卤化物法 氢化物法 金属有机物气相外延生长MOVPE 液相外延生长LPE 分子束外延生长MBE 气相外延生长 气相外延生长(vapor phase epitaxy, VPE)发展较早，主要有以下三种方法： 卤化物法 (Ga/AsCl3/H2体系) 氢化物法 (Ga/HCl/AsH3/H2体系) 金属有机外延法 卤化物法外延生长GaAs Ga/AsCl3/H2体系气相外延原理及操作 高纯H2经过AsCl3鼓泡器，把AsCl3蒸气携带入反应室中，它们在300~500℃的低温就发生还原反应， 4AsCl3 + 6H2 = As4 + 12 HCl 生成的As4和HCI被H2带入高温区(850℃)的Ga源(也称源区)处，As4便溶入Ga中形成GaAs的Ga溶液，直到Ga饱和以前，As4不流向后方。 4Ga + xAs4 = 4GaAsx ( x1 ) 而HCI在高温下同Ga或GaAs反应生成镓的氯化物，它的主反应为 2Ga + 2 HCl = 2 GaCl + H2 GaAs + HCl = GaCl + ? As4 + ? H