Ch5材料变形和强化.pptxVIP

Ch5 材料的变形与强化 ;变形是材料在外力作用下会发生的最基本的‘失效’方式，变形通常包括弹性变形与塑性变形两种。 抵抗塑性变形是一般工件的基本要求，不希望其在承载时产生不可恢复的塑性变形； 塑性变形是材料的一种重要加工成形方法，在材料加工过程中，人们希望它易于加工变形。 ;金属的应力应变曲线 静载单向静拉伸应力――应变曲线(低碳钢 );5.1 单晶体的塑性变形;１、滑移 （1）滑移线和滑移带;（2）滑移系;;;滑移系的数目： 其他条件相同时，滑移系愈多，塑性便愈好 滑移过程可能采取的空间取向便愈多，滑移容易进行 FCC的滑移系共有{111}41103=12个； BCC的滑移方向为111,但可沿{110}、{112}、{123}晶面滑移；滑移系可能有12~48个 HCP晶体的的滑移方向为1120,但可沿{1010}或{1011}晶面滑移；滑移系可能仅有3或6个。 hcp晶体的塑性不如fcc或bcc。 ;（3）临??分切应力 a、滑移只在切应力作用下发生;滑移的临界分切应力 只有当外力在某一滑移系中的分切应力达到一定临界值时，该滑移系方可以首先发生滑移，该分切应力称为滑移的临界分切应力 τc。 真实反映单晶体受力起始屈服的物理量。 材料常数;外力F在滑移方向的分力=Fcosλ；滑移面的面积=A/cosΦ 外力在该滑移面沿滑移方向的分切应力;取向因子m;Φ＝0° /Φ＝90°，不能滑移 Φ＝45o，取向因子最大(0.5)，σs最小 Φ由45o→0° 或由45o→90°， σs↑(变硬) 取向因子大的为软取向 取向因子小的为硬取向 hcp晶体软/硬取向σs差距很大 fcc晶体软/硬取向σs差距不大(2倍)——思考：为什么？;（4）滑移时晶面的转动; 晶体受压变形时也要发生晶面转动 使滑移面逐渐趋于与压力轴线相垂直。 滑移方向的转动;具有多组滑移系的晶体 首先在取向最有利（软取向）的滑移系（其分切应力最大，τ＞τc）中进行 由于晶面转动，另一组滑移系取向由硬变软，滑移可能在两组或更多的滑移面上同时或交替地进行——多滑移。 会因不同滑移系的位错相互交割而给位锗的继续运动带来困难——重要的强化机制。 常可发现交滑移现象：两个或两个以上滑移面沿同一滑移方向同时或交替滑移。 螺位错的交滑移;;金属;滑移的位错机制位错→滑移→塑性变形 ;大量位错移出晶体→→滑移线（1000原子距）→→滑移带;位错运动的阻力： 点阵阻力 位错与位错的交互作用产生的阻力； 运动位错交割后形成的扭折和割阶；尤其是螺型位错的割阶将对位错起钉扎作用，致使位错运动的阻力增加； 位错反应、位错增值 位错与其它缺陷（点缺陷、晶界和第二相质点等）的交互作用产生的阻力；;①点阵阻力： P-N力 由于点阵结构的周期性，当位错沿滑移面运动时，位错中心的能量也要发生周期性的变化。;相当于简单立方中螺、刃位错运动所需的临界分切应力 b——滑移方向上的原子间距 a ——滑移面的面间距 ν——泊松比 W=a/(1-ν)——位错宽度;τP-N = 2G/(1-ν)exp(-2πW/b) ;②位错交割、位错反应/位错增殖——强化 运动位错交割后，每根位错线上都可能产生一扭折或割阶 割阶与原位错不在同一滑移面上， 故而除非割阶产生攀移，否则割阶就不能跟随主位错线一道运动， 成为位错线运动的障碍，通常称此为割阶硬化。 所有的割阶都是刃型位错，;锌晶体中的位错环;位错增值——弗兰克-瑞德(Frank-Read)位错源 ;位错反应;2、孪生——塑性变形方式Ⅱ ;;孪生仅会在滑移不易产生的情况下发生：;（2）孪生的位错机制;在相互平行且相邻的一组{111}面上各有一个肖克莱不全位错扫过 各滑移面间相对滑移量=a/61/2 一个原子间距 {111}面的堆垛顺序由原来的ABCABC改变为ABCACBACBA， 在晶体的上半部形成一片孪晶。;（3）滑移和孪生;3．扭折;5.2 多晶体的塑性变形;主要影响因素：晶粒——位向、晶界和晶粒大小;一个多晶体是否能够塑性变形取决于各晶粒变形时的相互协调要求能否满足 各晶粒之间的变形协调，通过各晶粒的多系滑移来保证——必须具备有5个独立的滑移系 密排六方晶体由于滑移系少，晶粒之间的应变协调性很差，所以其多晶体的塑性变形能力比面心立方或体心立方晶体低。;（2）晶界的影响与细晶强化： ;位错塞积——位错运动到晶界附近，受到晶界阻碍而堆积起来。;晶界数量直接决定于晶粒的大小——晶界对多晶体起始塑性变形抗力的影响可通过晶粒大小直接体现 多晶体的强度随其晶粒细化而提高;晶粒小→晶界面积大→变形抗力大→强度大 晶粒小→单位体积晶粒多→变形分散→相邻晶粒不同滑移系相互协调 晶粒小→晶界多→不利于裂纹的传播→断裂前承受较大的塑性变形;高温下的晶界对变形的阻力