五伏安法测晶体二极管的特性一.PPTVIP

物 理 实 验 教 学 示 范 中 心 实验五 伏安法测晶体二极管的特性 一、实验目的 四、实验内容 二、实验仪器及设备 五、实验记录 六、实验结果分析 三、实验原理 【实验目的】 1．掌握测量伏安特性的两种方法及其修正。 2．了解二极管的伏安特性并作其特性曲线。 【实验仪器】 1．干电池 2．单刀单掷开关 3．滑线变阻器（110Ω） 4．直流电压表（2.5V档） 5．DHI—1直流数字电流表（200mA档） 6．万用表 7．晶体二极管（2AP13——锗管或2CP13——硅管） 【实验原理】 一、用伏特表测出电阻两端的电压，用安培表测出流经电 阻的电流，将电压和电流的数值相比即得到电阻的阻值， 这样的测量方法称为伏安法。以电压值为横坐标，电流值 为纵坐标，将测量结果在坐标纸上作图，所得到的曲线称 为伏安特性曲线。 用伏安法进行测量时，电压表、电流表和待测电阻的连接 有两种方法：电流表接在电压表测试端之内，称“内接法”， 如图1所示；电流表接在电压表测试端之外，称“外接法”， 如图2所示。 A V 图2 外接法 A V 图1 内接法 注意： 对200mA档，RA = 1.2Ω。 注意： 对2.5V档，RV = 200Ω/V×2.5V =500Ω。 综上所述，在实际测量中必须根据被测电阻的大小，选取相应 的连接法。一般当被测电阻较大时（RX RA）采用“内接法”； 当被测电阻较小时（RX RV）采用“外接法”，这样可以获得 近似准确的结果，否则误差较大，但如果知道RA和RV的值， 并对测量结果作相应的修正，则不管采用哪一种接法都可获得 更准确的测量结果。 二、晶体二极管在电工和电子线路中应用广泛，主要的特性就 是单向导电的特性。测绘出晶体二极管的电压和电流之间的关 系曲线，对于我们了解它和应用它是有实际意义的。图3是其 伏安特性曲线 1．正向特性 在二极管两端加以正向电压，就产生正向电流，但是，当这 个电压比较小的时候，这时的正向电流很小，在电流表上几 乎看不出来，此时二极管呈现的电阻较大，但当二极管两端 的电压超过一定数值后（这个数值称为死区电压），二极管 的电阻变得很小（约几百Ω左右），电流于是增长很快。我 们通常称为导通状态。一般锗管的死区电压在0.2V左右，硅 管在0.6V左右。 2．反向特性 当加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压增高很多，其 反向电流始终很小。这小电流称为反向饱和电流，这时二极管 处于截止状态，呈现出很大的电阻值，可达到几百kΩ以上。 反向电流是二极管的一个重要参数。反向电流大，说明管子 单向导电的性能差。一般，硅管的反向电流在1 A，在温升情况下达mA级。 A，锗管可达 几百 3．反向击穿电压 当反向电压不断增加，但增加到一定数值，反向电流突然变为 零，出现反向击穿现象。这个电压数值叫做反向击穿电压。 手册上给出的最高反向工作电压（通常是击穿电压的一半）就 是为了防止二极管因反向击穿而损坏，选用二极管时，必须注 意这个极限值。 从图3所示的实验曲线看出，二极管的电阻是非线性的，即其 电压和电流之间的关系是不遵从欧姆定律的。