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利用宏晶科技的IAP单片机开发自己的ISP程序-STC宏晶科技
技术支持：(86第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 10 页传真：86-755话：86-755方网站：www.STCMCU.com宏晶科技STC15F系列单片机 用RC充放电实现检测外部电压日期：2012-2-24版本：V1.0对于没有ADC的MCU，而又要测量外部的一个电压时，使用RC充放电的方式是比较容易实现并且低成本的方法。STC15F系列是1T的MCU，其IO口有OPEN-DRAIN模式，此模式可以很容易用一个IO口配合一个定时器实现RC充放电来测量外部未知电压。如果没有空余的定时器，也可以使用指令循环的方式实现。本例使用定时器。本范例使用P3.2（INT0）来做RC测量，电路和波形示意图如下：操作流程：初始化程序将P3.2设置成OPEN-DRAIN模式， 并将P3.2输出0给电容放电。INT0设置成上升沿中断。Timer 0设置成16位自动重装定时器模式，时钟源为12T，允许中断。测量时，先清Timer 0的TH0、TL0，然后将P3.2输出1开始对电容充电，接着设置TR0 = 1来启动Timer 0，然后在INT0中断里设置TR0 = 0来停止计数，并将P3.2输出0对电容放电。读出TH0、TL0的值就是RC充电时间。由于MCU工作在5V时，IO口读到“1”的门限电压大约为2V，所以要求输入的电压高于2V，本例的测试数据从4~12.4V，测试结果参考后面的附录1。假设输入电压为Ux，IO口门限电压为2V，则RC充电时间为： T = - R * C * ln ( 1 – 2 / Ux )按图示参数，当输入为10V时，RC时间大约为446uS，附录1中实测为447uS。由于RC时间跟R和C有关，而R的温漂一般较小，但普通电容的温漂较大，所以要使用温漂小并且漏电也小的电容。由充电公式或曲线图可知，Ux和RC值的关系是非线性的，所以实际项目使用时，要根据自己的实际电路做一些标定，这样可以得到比较准确的值。本方法适用于对测量精度要求不是很高的场合。附录1：测量结果和曲线输入电压（V）Timer 0读数时间uS(18.432MHZ)4210013674.2196612804.4184612024.6174011334.8164610725156010165.214879685.414169225.613548825.81297844612458116.211967796.411507496.611107236.81070697710336737.21000651769386117.891059288845768483654488793516977250394736479987024571068644710.267143710.465642710.664241810.86294101161640111.260439311.459238511.658137811.85703711256036512.255035812.4540352附录2：C语言程序/**//* STC MCU International Limited *//* STC 1T Series MCU RC Demo *//* Mobile: (86*//* Fax: 86-755*//* Tel: 86-755*//* Web: www.STCMCU.com *//* If you want to use the program or the program referenced in the *//* article, please specify in which data and procedures from STC *//**//*功能描述: 使用STC15F系列C版本做的RC测量电压的例子.*/#include reg51.h#define MAIN_Fosc //定义主时钟#define uchar unsigned char#define uint unsigned intsfr AUXR = 0x8e; //Auxiliary registersfr P3M1 = 0xB1; //P3M1.N,P3M0.N =00Standard, 01push-pullsfr P3M0 = 0xB2; // =10pure input, 11open drainsbit P_TXD1 = P3^1; /
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