物理化学,徐度建,100702131,Ti02光催化.pptVIP

Ti02 的光催化 徐度建 10化二 1007032131 Fe、N共掺杂TiO_2纳米管阵列的制备及可见光光催化活性 吴奇 苏钰丰 孙岚 王梦晔 王莹莹 林昌健 《物理化学学报》 CAS CSCD 2012年第3期 磁性纳米TiO2/Fe3O4的制备及光催化去除甲基紫的研究 代先祥 陈洪 何海建 张云松 王仁国 《四川师范大学学报：自然科学版》 CAS CSCD 2011年第6期 液相色谱固定相二氧化钛（TiO2）微球的制备与研究 周艳 黄鹤勇 刘海龙 冯玉英 《南京师大学报：自然科学版》 CAS CSCD 2011年第4期 TiO2纳米光催化剂的低温制备及其性能 李慧泉 张颖 崔玉民 张文保 《石油化工》 CAS CSCD 2011年第4期 溶胶-凝胶法制备改性TiO2纳米薄膜及其防腐蚀性能 朱燕峰 张娟 张义永 丁敏 漆海清 杜荣归 林昌健 《物理化学学报》 CAS CSCD 2012年第2期 负载有Ag纳米粒子的TiO_2准一维复合材料制备及其SERS效应董立雅 嵇天浩 韩鹏 孙宝国 ：《化工学报》 EI CAS CSCD 2012年第2期 纳米TiO_2/海泡石复合粉体的制备及光催化性能研究贺洋; 郑水林; 沈红玲 中国矿业大学化学与环境工程学院 非金属矿 制备方法： 空心介孔WO_3球的制备及光催化性能刘柏雄; 王金淑; 李洪义; 吴俊书; 李志飞 北京工业大学材料科学与工程学院; 江西理工大学工程研究院无机化学学报 注意它的仪器分析 光催化性能: 禁带示意图 为什么要研究？Ti02 1）有什么原因 2）有什么问题 3）解决了多少 4) 还有什么问题 纳米Ti02是一种广泛研究和应用的半导体材料，在一定波长光量子的激发下，会在纳米晶表面形成电子空穴，空穴与纳米晶表面的H20作用，生成强氧化性的氢氧自由基-0H，电子与吸附在Ti02纳米晶表面的02作用，生成强氧化性的负氧离子自由基-02-。 光催化的锐钛型纳米ＴｉＯ２的禁带宽度为３．２ｅＶ，因此需要较高的能量（≤３８７．５ｎｍ）进行激发；同时，激发产生的电子空穴对在晶体表面很容易复合而丧失光催化氧化性能，即光量子效率低下。 各纳米禁带大小 纳米晶ＴｉＯ，存在３种晶型，即锐钛矿型(3.2eV)、金红石型(3.0eV)和板钛矿型，多数研究成果显示锐钛矿　型ＴｉＯ２具有较好的光催化活性。３种晶型都是ＴｉＯ八面体结构，但与金红石和板钛矿型晶体点对点、边对边排列的不同，锐钛矿型晶体只存在边对边的排列，而且在以八面体晶相为单位组成的纳米晶格中，长、短边（指原子间形成的结合键）分别顺序排列，形成多中心网状散开分布，构造为具有较大规整空位的微晶结构，从而具备更开放的晶相结构和更高的对称性 八面体结构： 为什么是紫外光？ 1. 2. 紫外光（200——400nm） 在紫外光区，才有吸收。 而紫外光区只占太阳光的5% 对室内可见光的利用率则更低 光催化光源及实验系统（可见光） 科研上如何降低禁带宽度？ 1.参杂金属离子 2.贵金属在表面沉积 3.半导体复合 4.Ti02表面的超强酸化 5.表面光敏化 6.半导体与粘土交联 我在这就解释两个问题： 1.什么是n型半导体，p型半导体 2光为什么能激发价电子跃迁 杂质半导体（doped semiconductor） 半导体的导电性可通过掺入微量的杂质而增强，这种半导体就称为杂质半导体或非本征半导体 N型半导体 英文名称： N-type semiconductor 定义： 导电的电子密度超过流动的空穴密度的非本征半导体 多余电子进入导带而使导电性增强 N型半导体 N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 　　在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。 P型半导体 英文名称： P-type semiconductor 定义： 流动的空穴密度超过导电的电子密度的非本征半导体 P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激