第二讲 半导体中的杂质跟缺陷.pptVIP

第二章 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 第二章 半导体中杂质和缺陷能级 实际材料中 总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 §2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 一个晶胞中包含有八个硅原子，若近似地把原子看成是半径为r的圆球，则可以计算出这八个原子占据晶胞空间的百分数如下： 说明，在金刚石型晶体中一个晶胞内的8个原子只占有晶胞体积的34%，还有66%是空隙 §2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 金刚石型晶体结构中的两种空隙如图2-1所示。这些空隙通常称为间隙位置 §2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质 杂质原子进入半导体硅后，以两种方式存在 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质（A） 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质（B） §2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质