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PAGE 第 PAGE 18 页 共 NUMPAGES 18 页第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 18 页第一章 电力电子器件1、电力电子器件一般工作在( 开关状态 ) 。2、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： ( 半控型器件)、(全控型器件)、(不可控器件)。3、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（ 导通 ），而不能控制器件的( 关断 )4、电力二极管的主要类型有( 普通二极管 )，( 快恢复二极管 )和(肖特基二极管)5、晶闸管的三极为( 阳极 )、 ( 阴极 )、( 门极 )。6、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有( 螺栓型 )与( 平板型 )。7、晶闸管一般工作在( 开关 )状态。晶闸管由( 四 )层半导体构成；有( 3 )个PN结。8、晶闸管的电气符号是　 。9、晶闸管导通的条件是在 ( 阳 )极加正向电压，在 ( 门 )极加正向触发电压。10、给晶闸管阳极加上一定的( 正向 )电压；在门极加上( 正向门极 )电压，并形成足够的( 门极触发 )电流，晶闸管才能导通。11、晶闸管的非正常导通方式有 ( 硬导通 ) 和 ( 误导通 ) 两种。12、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于( 擎住 )电流之前，如去掉( 触发 )脉冲，晶闸管又会关断。13、要使晶闸管重新关断，必须将（ 阳极 ）电流减小到低于（ 维持 ）电流。14、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL( 大于 )IH。15、晶闸管的额定电流是指（ 平均 ）值；。16、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于（ 1.57 ）倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为（ 157 ）安培。通常在选择晶闸管时还要留出（1.5～2 ）倍的裕量。17、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为 ( 800 ) 伏额定有效电流为( 100 ) 安。18、绝缘栅双极型晶体管是以( 电力场效应管的栅极 )作为栅极，19、GTO的开通控制方式与晶闸管相似，但是可以通过在门极( 负脉冲电流 )使其关断。20、GTO的关断是靠门极加( 负脉冲 )出现门极( 反向电流 )来实现的。21、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管(　GTR )；可关断晶闸管(GTO )；功率场效应晶体管( MOSFET )；绝缘栅双极型晶体管(　IGBT )。22、以( 电力晶体管的发射极、集电极 )作为发射极与集电极复合而成。23、电力器件的换流方式有（ 器件换流 ）、（ 电网换流 ）、（ 负载换流 ）和 （ 脉冲换流） 。24、晶闸管串联使用须采取(　均压 )措施25、晶闸管( 串联 )可以均压，( 并联 )可以均流。26、多个晶闸管相并联时必须考虑( 均流 )的问题27、抑制过电压的方法之一是用( 电容 )吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。28、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A )A、全控型器件 B、半控型器件 C、不控型器件 D、触发型器件29、不属于全控型器件的是( B )A、 GTR B、SCR C、GTO D、IGBT30、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ A ）A、GTR B、 MOSFET C、IGBT。31、不属于GTR区域的是（ A ）。A、非饱和区 B、截止区 C、放大区 D、准饱和区32、晶闸管有（　C ） 电极。A： 1个 B： 2个 C： 3个 D： 433、晶闸管稳定导通的条件（ C ）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流34、当温度降低时，晶闸管的触发电流会（ C ） A：降低 B：不变 C：增大35、晶闸管的伏安特性是指( C )A、阳极电压与门极电流的关系 B、门极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系 D、门极电压与阳极电流的关系36、不属于晶闸管主要参数的是（ C ）。A、额定电压 B、维持电流 C、阈值电压 D、额定电流37、一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的( C )倍。A．1~2 B．1~3 C．2~3 38、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D )A、转折电压 B