合成生产工艺自动控制解决方案汇总367.docVIP

合成生产工艺自动控制解决方案汇总367.doc

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合成生产工艺自动控制解决方案汇总367.doc

合成生产工艺自动控制解决方案 一、合成工段简介 合成是合成氨厂的核心。精制后氢氮混合气在较高的压力、温度及触媒存在的条件下合成为氨。由于反应过程中其他不能完全反应,故分离氨后的剩余氢氨气可以循环使用。合成工段的控制点主要是合成塔内的温度。合成塔内的温度受多方面因素的影响。反应机制复杂。要进行自控,难度较大,主要受以下几个方面的影响: (1)流程复杂,干扰大,CO含量的波动,对放热反应过程影响极大。CO含量每变化一个百分点,温度可以变化几十度。 (2)调节手段弱,手段主要是调节主线、副线原料气流量。 (3)系统滞后大。 (4)系统时变,由于触媒活性随着使用时间增加而下降,反应速率减慢,转换率降低,触媒层温度控制点也随之变化,温度变化大,气体分布不均匀,气流速度不一,触媒有被烧结,造成阻力增加,进出塔压差增大,生产负荷下降,系统是时变的 合成工段主要有以下几个控制回路: ⑴氨分、冷交液位 ⑵废锅液位 ⑶系统压差 ⑷系统压力 ⑸循环量控制 ⑹废锅蒸汽流量 ⑺合成塔温 ⑻废锅蒸汽压力。 合成系统由合成塔、废锅、水冷器、循环气压缩机、氨冷器、氨分离器等设备组成 二、合成工段控制简介: 合成工段的控制点是一~四段热点温度。一段采用系统近路调节手段,二~四段采用冷激调节手段。由于合成塔反应温度受多方面因素的影响,在控制软件中,将NH3冷温度、和H2/N2值引入作为前馈量。为了消除一段阀门调节的影响,在二循环量~四段温度控制中引入了解耦控制。 在简单调节系统中,PID调节规律综合了各类调节规律的优点,所以适用面广;但是对于滞后很大的对象,负荷变化很剧烈的系统,生产氨的合成塔,它是合成工段的关键设备,合成塔触媒层的热点温度是一个重要的控制参数,应尽量保持稳定。稳定操作就能提高氨合成率,保持触媒清洁性和延长触媒的使用寿命,以及保证合成塔的安全运行。如采取单回路PID控制,用控制副冷气量来保证热点温度的稳定。温度升高,调节阀开大,温度降低,则关小调节阀;但由于对象滞后大,反应慢,一旦干扰出现,如循环气流是波动的,调节也无能为力了。 这就引入了串级控制方式,它是选取塔的敏感点温度作为副环检测点。它温度反应快,滞后小当干扰出现后,在热点温度尚未变化前,它已发生变化,因此可按照热点温度变化来预先调节冷气量,及时克服干扰或减小干扰对热点温度的影响,而当干扰作用于主回路时,由于主调节器给定到调节器,副调节器接到指令后,很快发生校正作用,使阀动作。这样,控制系统中由于多了副回路,调节和反馈的通道都缩短了,因而能使被控量的超调量减小,调节过程缩短。而当干扰同时作用于主副回路时,如主副变量往同一方向变化,则副调节器输入偏差将显著增加。因而它的输出也将发生较大变化,以迅速克服干扰。如果主副变量向相反方向变化,则副调节器输入的偏差将缩小,它的输出只要有较小的变化即能克服干扰。按照串级调节的原理,由于主副两个调节器串联在一起,再加上一个闭合的副回路,因而不仅能迅速克服作用于副回路的干扰,而且对于作用于主回路的干扰也有加快调节的进程。在调节过程中,副回路具有先调,快调,粗调的特点;主回路则具有后调,慢调,细调的特点。主副回路的互相配合,与单回路相比,大大改善了调节过程的品质。 干扰 干扰 给定 图6 热点温度串级控制结构 虽然串级调节可以改善调节品质,但如何选择主副参数对整个系统的调节作用影响很大。主参数的选择与简单调节系统相同,应选取最能直接表征过程中一个要控制的工艺参数,而且要便于测量,变送,并具有一定的灵敏度。副参数的选择则要考虑以下几点: (1)副回路必须包括主要干扰和更多干扰。 (2)应使主副对象的时间常数适当匹配,避免共振。 (3)应当考虑工艺上的合理性和实现的可能性与经济性。在合成塔的温度串级调节中,主要干扰为氢氮比的变化。由于敏点温度对氢氮比的变化特别敏感,主副参数的时间常数相差很远,不会引起震荡,而且在工艺的实现上是允许的,所以选择敏点温度作为副参数是可行的。 对于合成工段,实现优化控制以后,提高了氨净值,降低循环回路(循环机、冰机)的动力消耗;降低系统压力,降低压缩机的电流;提高了废锅的产汽量。通过实施优化控制,氨净值由原来的12.5%提高到14.2%。 rdrh fhfghgj 调节器 主对象 副调节器 调节阀 副对象 副参数变送 主参数变送

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