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公式(2-6)的推导: 图2-13 双晶体中的A、B两晶粒，其中B晶粒呈球状存在于A晶粒中。 面积为A的晶界如果移动dx距离时，体系总的Gibbs自由能变化为dGt ，则沿x方向有力P作用于晶界上，构成晶界移动的驱动力。 图2-13中A、B晶粒间的晶界构成一曲率半径为R的球面。 * 上海应用技术学院 材料工程系 第二章 奥氏体的形成 2.1 奥氏体及其形成机理 2.1.1 奥氏体的结构及其存在范围 图2-1 奥氏体的单胞 奥氏体是碳溶于γ-Fe 中的间隙固溶体 碳原子位于八面体间隙中心，即FCC晶胞的中心或棱边的中点 八面体间隙半径 0.52 ? 碳原子半径 0.77 ? →点阵畸变 图2-2 Fe-C 相图 奥氏体相区： NJESGN包围的区域 GS线 ---- A3线 ES线 ---- Acm线 PSK线 ---- A1线 碳在奥氏体中的最大溶解度为2.11wt% (10at%) 碳原子的溶入使 γ-Fe的点阵畸变，点阵常数随碳含量的增加而增大 2.1.2 奥氏体的性能 奥氏体的比容最小，线膨胀系数最大，且为顺磁性（无磁性）。利用这一特性可以定量分析奥氏体含量，测定相变开始点，制作要求热膨胀灵敏的仪表元件。 奥氏体的导热系数较小，仅比渗碳体大。为避免工件的变形，不宜采用过大的加热速度。 奥氏体塑性很好，σS 较低，易于塑性变形。故工件的加工常常加热到奥氏体单相区进行。 2.1.3 奥氏体形成的热力学条件 图2-3 自由能和温度关系图 ?G = V ?Gv + S σ+ εV - ?Gd (2-1) - ?Gd ---- 在晶体缺陷处形核引起的自由能降低 相变必须在一定的过热度?T下，使得?GV 0，才能得到?G0。所以相变必须在高于 A1 的某一温度下才能发生，奥氏体才能开始形核。 图2-4 以0.125℃/min加热和冷却时，Fe-C相图中临界点的移动 加热时临界点加注c ： Ac1 Ac3 Accm 冷却时临界点加注r ： Ar1 Ar3 Arcm 2.1.4 奥氏体的形成机理 奥氏体的形成为形核长大、扩散型相变 奥氏体的形成过程可分成四个阶段： （1）奥氏体的形核 （2）奥氏体的长大 （3）渗碳体的溶解 （4）奥氏体的均匀化 图2-5 奥氏体形成的四个阶段 （1） （2） （3） （4） （1）奥氏体的形核 形核的成分、结构条件 在A1温度（727℃）： α + Fe3C γ C% 0.0218 6.69 0.77 结构 BCC 复杂斜方 FCC 形核位置 鉴于相变对成分、结构以及能量的要求，晶核将在α/Fe3C相界面上优先形成，这是由于： ①相界面形核，可以消除部分晶体缺陷而使体系的自由能降低，有利于相变对能量的要求。 ②相界面两边的碳浓度差大，较易获得与新相奥氏体相适配的碳浓度，况且碳原子沿界面扩散较晶内为快，从而加速了奥氏体的形核。 ③相界面处，原子排列较不规则，易于产生结构起伏，从而由BCC改组成FCC。 （2）奥氏体的长大 图2-6 相界面上的碳浓度及扩散 ?Cr?k ?Cr?α dC dx 图2-7 相界面上的碳浓度及扩散 C% dC dx ① 奥氏体在α/Fe3C相界面上形核后，将产生三相平衡， 产生 γ/Fe3C 和 r/α两个相界面。 ② Cr-k Cr-α ，浓度差 dC = Cr-k - Cr-α 将在奥氏体内产生扩散 Cr-α↑ → Cr-α’ ； Cr-k ↓→ Cr-k’ 相界面上的平衡浓度被打破 ③ 为了恢复并维持相界面上的平衡浓度 α点阵重构→γ，向α方向长大，Cr-α’↓ → Cr-α Fe3C向γ中溶解，向Fe3C方向长大， Cr-k’↑→ Cr-k 奥氏体晶核的长大速度 由式（2-2）可知，奥氏体晶核的长大速度与碳在奥氏体中的浓度梯度成正比，而与相界面上的碳浓度差成反比。 由于 γ/Fe3C相界面的碳浓度差 ?Cγ?k 较大，Fe3C本身复杂的晶体结构，使得奥氏体向渗碳体方向的长大速度远比向铁素体方向为小，所以铁素体向奥氏体的转变比渗碳体的溶解要快得多，铁素体先消失，而渗碳体有剩余。 （3）剩余渗碳体的溶解 剩余渗碳体借助于Fe、C原子的