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#现代物理实验讲义--离子注入部分（10简化版） 杜树成、叶晓云改编师大低能所《离子注技术和离子注入层特性分析（实验讲义）》为电子版 CH1离子注入的基本知识 CH1.0离子注入技术简介J_CH1_0 CH1.1 离子注入设备J_CH1_1 CH1.2 离子注入理论简介J_CH1_2 网络材料：Advanced Topics in VLSI Technology -From the wafer to the transistor http://www.eng.tau.ac.il/~yosish/courses/vlsi1/I-5-ion-implantation.pdf CH1.3 半导体中离子注入的损伤和退火J_CH1_3 CH2离子注入专题 CH2.1 离子注入层电特性测量分析实验J_CH2_1 CH2.2 离子注入模拟 CH2.3 离子注入在半导体器件工艺中的应用举例 网络材料1：Profs. T. Paul Chow and James Lu, ECSE-6300 Fabrication Laboratory Lecture 5 Ion Implantation /dept/cieem/mcrusers/fablab/notes/02-27-2006/Fablab06-5.ppt 网络材料2：Ion implantation,Campbell, Chapter 5 /cgi-bin/get/msae/333/matyi/notes/12_implant3_00.ppt 网络材料3：SRIM2010.exe /SRIM/SRIMLEGL.htm CH2.3 离子注入专题报告及自由选择J_CH2_3 CH3 考试宝典 CH3.1 (本部分) 成绩计算J_CH3_1 CH3.2 (本部分) 准备考试之复习重点J_CH3_2 CH3.3 (本部分) 准备考试之复习题及参考答案J_CH3_3  #CH1.0离子注入技术简介 CH1.0.1离子注入产生的背景及作用J_CH1_0_1 CH1.0.2 离子注入原理J_CH1_0_2 CH1.0.3离子注入的优点和缺点J_CH1_0_3 返回J_BEGIN  #CH1.1 离子注入设备 离子注入设备通常由离子源、分析器、加速聚焦系统和靶室等组成。 1．离子源J_CH1_1_1 2．加速器J_CH1_1_2 3．分析器J_CH1_1_3 4．偏转扫描J_CH1_1_4 5．X,Y扫描器J_CH1_1_5 6．靶室J_CH1_1_6 7．真空系统 附件一：离子注入设备示意图J_F_CH1_1_1 附件二：离子注入设备示例J_F_CH1_1_2 返回J_BEGIN  #CH1.2 离子注入理论简介 一定能量的离子注入到材料内部，会和材料的原子核和核外电子发生一系列的碰撞。对于一个离子，发生碰撞的种类、碰撞后入射离子和靶材料原子的移动方向是随机的。其运动轨迹是一条无规则曲线。对于大量的离子求平均可以得到描述离子注入的物理量及其规律。 CH1.2.0离子注入理论点滴 CH能量损失过程的描述 经典理论：碰撞 量子理论：散射 波尔判据 CH描述离子注入的重要物理量 1．阻止本领—统计平均量 （1）核阻止本领：弹性处理，低能、重离子重要 （2）电子阻止本领：非弹性处理，高能、轻离子重要 2．散射截面—描述微观过程的量 （1）微分散射截面 （2）总散射截面 3．微观粒子相互作用势 （1）离子-电子散射势 （2）原子-原子相互作用势 CH不同模型下的描述 波尔公式、贝特--布洛赫公式、Linhard的介电描述等等 CH若干处理技巧 （非）弹性近似，高速、低速下的近似，基本项与修正 CH1.2.1离子分布的描述：LSS理论 离子注入在固体中分布的系统理论是由丹麦物理学家Linhard、Scharff和Schiott三人首先提出来的，简称LSS理论。 CH关键物理量 射程、平均投影射程和标准偏差J_CH1_2_1 CH核心公式和结论 1．LSS积分--微分方程 关于射程的：P(R,E) 关于投影射程的：P(E,z,φ) 2．射程分布函数的构筑 （1）分布函数与中心矩 （2）高斯分布J_CH1_2_2 （3）其它分布 双半高斯分布、Edgeworth分布、Pearson分布 参考资料： 《离子在固体中的阻止本领射程和沟道效应》，唐家镛，张祖华，原子能出版社 返回J_BEGIN  #CH1.3 半导体中离子注入的损伤和退火 半导体基本上是晶体。离子注入晶体时，不可避免地产生大量的缺陷。同时注入离子最后停留的位置是随机的，其停留的位置往往是间隙位置。间隙位置的杂质一般认为是不参与导电的。 离子注入后的样品必须进行退火处理。 CH1.3.1 离子注入引起的损伤J_CH1_3_1 CH1.3.2 离子注入样