半导体的带光收谱曲线.docVIP

半导体的带间光吸收谱曲线 ? Xie Meng-xian.? (电子科大，成都市) ? （1）光吸收系数： 半导体吸收光的机理主要有带间跃迁吸收（本征吸收）、载流子吸收、晶格振动吸收等。吸收光的强弱常常采用描述光在半导体中衰减快慢的参量——吸收系数α来表示；若入射光强为I，光进入半导体中的距离为x，则定义： ?吸收系数的单位是cm-1。 （2）带间光吸收谱曲线的特点： 对于Si和GaAs的带间跃迁的光吸收，测得其吸收系数a与光子能量hν的关系如图1所示。这种带间光吸收谱曲线的特点是：吸收系数随光子能量而上升；各种半导体都存在一个吸收光子能量的下限（或者光吸收长波限——截止波长），并且该能量下限随着温度的升高而减小（即截止波长增长）；GaAs的光吸收谱曲线比Si的陡峭。 ? 为什么半导体的带间光吸收谱曲线具有以上一些特点呢？——与半导体的能带结构有关。 ?（3）对带间光吸收谱曲线的简单说明： 因为半导体的带间光吸收是由于价带电子跃迁到导带所引起的，则光吸收系数与价带和导带的能态密度有关。而在价带和导带中的能态密度分布较复杂（在自由电子、球形等能面近似下，能态密度与能量是亚抛物线关系），不过在价带顶和导带底附近的能态密度一般都很小，因此，发生在价带顶和导带底附近之间跃迁的吸收系数也就都很小；随着能量的升高，能态密度增大，故吸收系数就相应地增大，从而使得吸收谱曲线随光子能量而上升。 但是