MOS晶体管伏安特性0.pptVIP

o VDS IDS VGS VGS≥ VT 线性区 饱和区 NMOS晶体管输出伏安特性曲线 NMOS晶体管输出伏安特性 nMOS管输出特性漏极扫描方式一 o t VGG VDD t o ① ② ③ ④ ⑤ ① ② ③ ④ ⑤ + + - + - - RD VGS VDS VGG + - VDD nMOS管输出特性曲线显示图像 D G S B G D S B 沟道 　MOSFET(晶体管)的伏安特性 L tOX W W:沟道宽度 L:沟道长度 MOSFET 的沟道 o X Y nMOS晶体管输出伏安特性方程 W dy o X Y nMOS晶体管输出伏安特性方程 *