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2018-08-09 发布于浙江
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931双极功率晶体管BJT

上页下页返回模拟电子技术基础 9.3.1 双极型功率晶体管（BJT） 1. 功率管的选择 (1) PCM≥0.2Pom (2) |U(BR)CEO|2VCC (3) ICM＞VCC/RC 9.3 功率器件与散热在互补推挽功率放大电路中,功率管的极限参数应满足以下关系 2．二次击穿的影响 iC uCE O B A 二次击穿一次击穿 S/B曲线二次击穿现象二次击穿临界曲线 iC uCE O 1. V型NMOS管的结构结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET s 源极 g 栅极金属源极 S i O2 沟道沟道外延层衬底 d 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 (1) 开关速度高 (2) 驱动电流小 (3) 过载能力强 (4) 易于并联 IGBT等效电路 d T1 g s R T2 IGBT电路符号 g s d T 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： (1) 输入阻抗高 (2) 工作速度快 (3) 通态电阻低 (4) 阻断电阻高 (5) 承受电流大兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热晶体管的散热示意图