化学气相沉积薄膜科学与技术实验室.pptVIP

作业3;第四章 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition- CVD ; CVD技术分类 ： （1） 按淀积温度，可分为低温（200~500°C）、中温（500~1000°C） 和高温（1000~1300°C）CVD ； （2） 按反应器内的压力，可分为常压CVD和低压CVD； （3） 按反应器壁的温度，可分为热壁方式和冷壁方式CVD； （4） 按反应激活方式，可分为热激活和等离子体激活CVD等。 ;5-1 化学气相沉积的基本原理;;CVD过程是涉及反应热力学和动力学的复杂过程;CVD法制备薄摸的过程分4个阶段(图示） （1）反应气体向基片表面扩散； （2）反应气体吸附于基片表面； （3）在基片表面上发生化学反应； （4）在基片表面上产生的气相副产物脱离表面而扩散掉或被真空泵抽走，在基片表面留下不挥发的固体反应产物——薄膜。;常见的化学气相沉积反应的类型：; 化学合成反应 绝大多数沉积过程都涉及到两种或多种气态反应物在一个热基体上发生的相互反应，这类反应称化学合成反应。 用氢还原卤化物来沉积各种金属和半导体薄膜，以及选用合适的氢化物、卤化物或金