太阳能电材料制备.docVIP

太阳能电池薄膜材料制备工艺初步方案设想 吸收层薄膜材料（CIS/CIG）是太阳能电池的关键材料，其制备工艺是整个电池制备工艺的关键，而元素配比又是决定材料的性能的主要因素。 电化学沉积-硒化工艺，溅射法-硒化工艺、丝网印刷-硒化工艺等能很好地控制元素配比的情况，而且工艺较其他的工艺简单，具有良好的应用前景。 一、制备CIS薄膜吸收层（电化学沉积-硒化工艺） 电化学沉积方法是一种低成本的制造CIS/CIGS先驱薄膜最有潜力的方法，另外电化学沉积方法也是一种非真空工艺，适用于大规模生产，它避免使用昂贵的真空设备，而且工艺简单。 研究发现，在CIS薄膜太阳能电池中，In离子的含量较大时，CIS薄膜太阳能电池的性能相对较好。利用矿业公司In 的资源优势，以简单的电化学沉积方法制备CIS/CIGS薄膜太阳能电池，具有良好的工业前景。 按一定比例先沉积Cu、In元素，然后硒化，从而形成CuInSe2薄膜结构，进一步制备太阳能电池。在此工序中，可以通过最终电池的性能来考察吸收层中的最佳的In含量，实现电池高的光电转化率。 采用快速退火处理得到CuInSe2薄膜吸收层。快速退火处理方法能提高CuInSe2薄膜吸收层的晶粒结构和成膜均匀性。 优点：能充分利用资源优势，工艺简单，易于控制薄膜中各元素的化学剂量比、膜的厚度及成分分布均匀，对设备整体要求不高。 缺点：In的含量可能分布不均匀。 为克服上述