例23在如图25所示的分压式偏置放大电路中VCC＝12VRB1.PPT

第二章 半导体三极管 及放大电路基础 2.1 半导体三极管 2.2 场效应晶体管 2.3 基本交流电压放大电路 2.4 分压式偏置放大电路 2.5 阻容耦合放大电路 2.6 共集电极放大电路 2.7 功率放大电路 2.8 放大电路中的负反馈 2.1 半导体三极管 2.1.1 三极管的基本结构与类型 　　　 三极管有三个区，分别叫做发射区、基区和集电区。引出的三个电极相应叫做发射极、基极和集电极，分别记为e、b、c。两个PN结分别叫发射结(发射区与基区交界处的PN结)和集电结(集电区与基区交界处的PN结)。 　　　 图2-1 三极管的结构与电路符号 2.1 半导体三极管 图示是三极管结构的示意图，三极管的实际结构并不是对称的，所以三极管的发射极和集电极不能对调使用。 图2-2 几种常见三极管的外形图 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的基本工作原理 图2-3 共发射极放大电路 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的基本工作原理 　　　 通常晶体管在放大电路中的连接方式有三种,如图所示，它们分别称为共基极接法、共发射极接法和共集电极接法。 　　　 2.1 半导体三极管 2.1.2 三极管的基本工作原理　　　 　　　 2.1 半导体三极管 2.1.3半导体三极管的特性曲线 　 　　　 2.1 半导体三极管 　2. 输出特性 　　　输出特性是指在基极电流为一定值时，三极管集电极电流IC同集电极与发射极之间的电压UCE的关系。即 　　　在不同的IB下，可得出不同的曲线．所以二极管的输出特性曲线是一组曲线， 2.1 半导体三极管 　　　通常把晶体管的输出特性曲线分为放大区、截止区和饱和区3个工作区，如图2-4所示。 　　　(1) 放大区。输出特性曲线近于水平的部分是放大区。 　　　(2) 截止区。IB=0这条曲线及以下的区域称为截止区。 　　　(3) 饱和区。靠近纵坐标特性曲线的上升和弯曲部分所对应的区域称为饱和区。 图2-4 晶体三极管的输出特性曲线 2.1 半导体三极管 2.1.4三极管的主要参数 　　　1.电流放大系数 2.1 半导体三极管 　　2. 集—射极反向截止电流ICEO 　　　 它是指基极开路(IB＝0)时，集电结处于反向偏置和发射结处于正向偏置时的集电极电流。又因为它好像是从集电极直接穿透三极管而到达发射极的，所以又称为穿透电流。这个电流应越小越好。 　　3. 集电极最大允许电流ICM 　　　当集电极电流超过一定值时，三极管的值β就要下降，ICM就是表示当β值下降到正常值的2／3时的集电极电流。 2.1 半导体三极管 　　4. 集电极最大允许耗散功率PCM 　　　 可在三极管的输出特性曲线上作出PCM曲线，它是一条双曲线。 2.2 场效应晶体管 2.2.1结型场效应管 1、结型场效应管的结构、符号和分类 　　　N沟道结型场效应管是在同一块N型硅片的两侧分别制作了掺杂浓度较高的P型区，形成两个对称的PN结，将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极(G)，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极(s)和漏极(D)结型场效应管可分为N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。 动画 结型场效应管的结构 2.2 场效应晶体管 　　2、结型场效应管的工作原理 　　　 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已(如同三极管的NPN和PNP)。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。 动画 结型场效应管的工作原理 2.2 场效应晶体管 　　　结型场效应管的漏极电流iD受UGS和UDS的双重控制。这种电压的控制作用，是场效应管具有放大作用的基础。在D、S极间加上电压UDS，则源极和漏极之间形成电流iD，通过改变栅极和源极的反向电压UGS，就可以改变两个PN结阻挡层(耗尽层)的宽度，这样就改变了沟道电阻，因此就改变了漏极电流iD。 2.2 场效应晶体管 3、结型场效应管的特性曲线(以N沟通结型场效应管为例) (1) 转移特性曲线。 　　　 2.2 场效应晶体管 2.2 场效应晶体管 2.2.2绝缘栅型场效应管（MOS管） 1. N沟道增强型（MOSFET）的结构。 　　　N沟道增强型MOSFET是在一块低掺杂的P型硅片上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，并引出两个电极，分别是漏极D和源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型硅片称为衬底，用字母B表示。 2.2 场效应晶体管 2.2 场效应晶体管 ②漏源电压uDS对漏极