透明导电薄膜ito对gan基蓝光发光二极管影响的分析-analysis of influence of transparent conductive film ito on gan - based blue light emitting diode.docxVIP

万方数据 万方数据 原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，进行研究工作所取得的成 果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文不包含任何他人或集体已经发表的作品内 容，也不包含本人为获得其他学位而使用过的材料。对本论文所涉及的研究工作做出贡献 的其他个人或集体，均已在文中以明确方式标明。本学位论文原创性声明的法律责任由本 人承担。 学位论文作者签名： 日期： 关于学位论文版权使用授权的说明 本人完全了解河北工业大学关于收集、保存、使用学位论文的以下规定：学校有权采 用影印、缩印、扫描、数字化或其它手段保存论文；学校有权提供本学位论文全文或者部 分内容的阅览服务；学校有权将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索、交 流；学校有权向国家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版。 （保密的学位论文在解密后适用本授权说明） 学位论文作者签名： 日期： 导 师 签 名： 日期： 河北工业大学硕士学位论文 河北工业大学硕士学位论文 透明导电薄膜 ITO 对 GaN 基蓝光发光二极管影响的研究 摘 要 铟锡氧化物（ITO）透明导电薄膜作为电流扩展层和透光层淀积在 P-GaN 表面用以提 高 GaN 基发光二极管（LEDs）的光效。本论文通过电子束蒸发制备 ITO 薄膜，将薄膜淀 积在石英玻璃片上，并在炉管中退火，通过对 ITO 方块电阻和透光率的测量，研究薄膜厚 度以及退火条件对 ITO 薄膜光电性能的影响。然后将不同厚度和退火条件制备的 ITO 薄膜 应用于尺寸为 205μm × 508μm 的 GaN 基发光二极管，通过测量 20mA 注入电流下 LED 的 正向电压、光强分布、光输出功率和光通量，研究了 ITO 薄膜对 LED 光电性能的影响。 试验结果表明 ITO 厚度 250nm，退火温度 400℃，N2 流量 30L/min，退火时间 10min 的工艺条件下可以获得高质量的 ITO 薄膜，在此优化条件下测得 ITO 方块电阻大约为 12 Ω/□，透光率达到 95%以上，制得的蓝光 LED 在注入电流 20mA 下的正向电压为 3.18V， 光输出效率为 26.11mW，白光封装验证为 7.81lm 关键词：ITO 透明导电薄膜，P-GaN，欧姆接触，发光二极管 i 透明导电薄膜 透明导电薄膜 ITO 对 GaN 基蓝光发光二极管影响的研究 A STUDY OF THE INFLUENCE OF INDIUM–TIN-OXIDE TO GAN-BASED LIGHT-EMITTING DIODES ABSTRACT In order to improve the light efficiency of the conventional GaN-based light-emitting diodes (LEDs)，the indium tin oxide (ITO) film is introduced as the current spreading layer and the light transmitting layer on the P-GaN surface. In this thesis, the transparent and conductive Indium Tin-Oxide (ITO) thin films were evaporated on glasses and annealed in furnace. The effects of the film thicknesses and annealing conditions on the photoelectrical properties of ITO films were studied by measuring the sheet resistance (Rs) and transmittance of ITO films. Then, 205μm × 508μm blue light-emitting diodes with different ITO thicknesses and annealing conditions were fabricated. Forward voltage, light intensity distribution, light output power and luminous flux at 20 mA injection current were measured to investigate t