刘彦文《基于ARM嵌入式系统原理与应用》第5章.pptVIP

表中Read2功能，用50h命令表示读1页中16B的备用区，起始地址由后续传输的A0~A3决定，A4~A7不必关心。 Read1功能中的00h/01h命令，除了表示读操作外，还用来在页编程命令前，设置A8为0（00h）或A8为1（01h）。也就是说页编程命令80h前，微处理器应该先向芯片传送00h或01h命令。 Read ID功能，用90h命令表示读芯片ID号。随后读出的4字节值为：ECh（制造者代码）、76h（设备代码）、A5h（不必关心）、C0h（支持多平面操作）。 Reset功能，用FFh命令表示对设备(芯片)复位。 Page Program（True）只对1个平面的1页编程；Page Program（Dummy）对2/3/4个平面中每个平面指定的1页编程。 Copy-Back Program（True）功能，能够读出1个平面中的1页，存放在这个平面的页寄存器中，然后将这个平面的页寄存器内容编程（写入）到这个平面中的另1页。与以往拷贝1页的不同之处是，以往需要微处理器先将芯片中1页的内容，读出到芯片外的一个缓冲区，然后微处理器再将芯片外缓冲区的内容，编程（写入）到芯片内某1页。 Copy-Back Program（Dummy）功能，能够将2/3/4个平面中的每个平面的1页，拷贝到同一平面的另1页。 Block Erase功能，擦除1个平面中的1个块。 Multi-Plane Block Erase功能，擦除多个平面中每个平面的1个块。 Read Status、Read Multi-Plane Status功能的区别详见表5-32。 ⒉ K9F1208U0M状态寄存器 设备（芯片）含有一个状态寄存器，能够在编程或擦除操作完成后被微处理器读出，用来查看编程或擦除操作完成的成功与否。微处理器写70h命令到设备的命令寄存器后，在随后的读周期设备通过I/O0~I/O7引脚输出状态寄存器的内容。对于多平面编程或擦除操作，应该使用71h命令代替70h命令。写入70h或71h命令后，I/O0~I/O7引脚输出对应的状态寄存器的含义见P192表5-32。 5.6.5 K9F1208U0M Nand Flash芯片操作举例 ⒈ 块擦除操作 擦除一个平面中指定的1块，微处理器先给设备（芯片）发送60h命令，随后分3次发送块地址（行地址）A9~A16、A17~A24、A25，不需要发送列地址，设备忽略收到的A9~A13，以A14~A25作为块地址。然后微处理器发送D0h命令，设备自动进行块擦除。之后在引脚R/nB变为高电平后，微处理器发出70h读状态命令，读I/O0~I/O7引脚输出对应的状态寄存器内容，通过判断I/O0确定块擦除操作是否成功，见P192图5.28。 ⒉ 页编程操作 对1页进行编程，微处理器应该先向设备（芯片）写入命令00h，表示将设备内部地址A8设置为0，然后写入命令80h，分4次写入地址，写入要编程的数据，再写入命令10h表示开始编程，见P193图5.29(a)，图5.29(b)详细画出了地址、数据传送周期及通过70h命令，读状态寄存器及确认编程是否成功。 ⒊ 读操作 微处理器首先输出00h或01h命令到设备（芯片），然后输出列地址A0~A7，A8已经由00h或01h命令设置为0或为1，然后输出页（行）地址A9~A25，等待设备引脚R/nB为高电平后，从设备读出数据，见P193图5.30。 从设备读出的数据，是从指定列地址开始，到这一页最后一个单元为止。如果发出的命令是00h，并且列地址A0~A7全部为0，那么这一页的528B数据全部被微处理器读出。 5.6.6 K9F1208U0M使用注意事项 ⒈ 无效块（invalid block） ⒉ 标识无效块 5.7 S3C2410A Nand Flash 存储器组成举例 5.7.1 S3C2410A Nand Flash控制器 ⒈ 概述 S3C2410A芯片内含有Nand Flash控制器，为了支持从Nand Flash芯片中装入引导程序，S3C2410A芯片内有一个叫做Steppingstone（垫脚石）的内部SRAM缓冲区，它位于bank0，大小为4KB。当系统启动时，S3C2410A自动将Nand Flash存储器前4KB内容（引导程序头部）读入到Steppingstone，然后自动从Steppingstone中取出并执行。 通常执行Steppingstone中的引导程序头部程序，能够将Nand Flash中剩余的引导程序拷贝到SDRAM，然后程序转到SDRAM去执行。 使用S3C2410A内部硬件ECC产生器，可以对Nand Flash的数据（1页，512B）进行有效性的检验。 S3C2410A Nand Flash控