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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 可见光波长一般在380-780nm之间 * * 光敏电阻受到光照射时,光电流不会立即上升到最大饱和值,而光照去掉后,光电流也不会立即下降到零。这就是光电导的驰豫现象。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 阻挡层光电效应(光生伏特效应) 在光线作用下能使物体产生一定方向的电动 势的现象。如光敏晶体管、光电池等 4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管 1. 工作原理 2. 基本特性 1. 工作原理 光敏二极管结构与一般二极管相似,装在透明玻璃外壳中在电路中一般是处于反向工作状态的 当光照射在PN结上,光子打在PN结附近时,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,使少数载流子浓度增大,通过PN结的反向电流随之增加。 光敏二极管 光敏二极管:将光信号转化为电信号输出 光敏晶体管 与一般晶体管很相似,具有两个pn结。把光信号转换为电信号同时,又将信号电流加以放大。 区别:光敏晶体管具有两个PN结、电流放大、基极不接 2. 基本特性 (1)光谱特性 (2)伏安特性 (3)光照特性 (4)温度特性 (5)频率响应 (1)光谱特性 入射光的波长增加时,相对灵敏度要下降 硅和锗光敏二极(晶体)管的光谱特性 可见光或探测赤热状态物体时,一般都用硅管。 在红外光进行探测时,则锗管较为适宜。 (2)伏安特性 硅光敏管的伏安特性 (3)光照特性 硅光敏管的光照特性 光敏二极管的光照特性曲线的线性较好 光敏二极管 光敏三极管 (4)温度特性 其暗电流及光电流与温度的关系 温度变化对光电流影响很小,而对暗电流影响很大。 (5)频率响应 具有一定频率的调制光照射时,光敏管输出的光电流(或负载上的电压)随频率的变化关系 硅光敏晶体管的频率响应 光敏管的频率响应与本身 的物理结构、工作状态、 负载及入射光波长等有关 光敏晶体管的截止频率与 基区厚度成反比。截止频 率高,基区就要薄。 4.1 光电效应和光电器件 4.1.1 光电管 4.1.2 光电倍增管 4.1.3 光敏电阻 4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管 4.1.5 光电池 4.1.6 光电式传感器的应用 光电池 有光线作用下实质上就是电源,电路中有了这种器件就不再需要外加电源。 常见类型:硒光电池、硅光电池、锗光电池、磷化镓光电池、氧化亚铜光电池等。 1. 工作原理 2.基本特性 1. 工作原理 直接将光能转换为电能的光电器件,是一个大面积的pn结。当光照射到pn结上时,便在pn结的两端产生电动势(p区为正,n区为负) 。 用导线将pn结两端用导线连接起来,就有电流流过,电流的方向由P区流经外电路至n区。若将电路断开,就可以测出光生电动势。 2. 基本特性 (1) 光谱特性 (2) 光照特性 (3) 频率响应 (4) 温度特性 (5) 稳定性 (1)光谱特性 光电池对不同波长的光,灵敏度是不同的 (2)光照特性 不同光照度下,光电流和光生电动势是不同的。 短路电流(外接负载电阻远小于光电池内阻下的电流值)与光照 度成线性关系;开路电压(负载电阻无穷大)与光照度是非线性 的光电池作为测量元件使用时,应把它当作电流源的形式来使用 负载越小,光电流与照度之间的线性关系越好,而且线性范围越宽 (3)频率响应 指输出电流随调制光频率变化的关系 硅光电池具有较高的频率响应 ,用于高速计数的光电转换 (4)温度特性 开路电压和短路电流随温度变化的关系。 关系到应用光电池的仪器的温度漂移,影响到测量精度或控制精度等重要指标 硅光电池的温度特性(照度1000lx) (5)稳定性 当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时,光电池的性能是相当稳定的 硅光电池的性能比硒光电池更稳定 影响性能和寿命因素: 光电池的材料及制造工艺 使用环境条件 4.1 光电效应和光电器件 4.1.1 光电管 4.1.2 光电倍增管 4.1.3 光敏电阻 4.1.4 光敏二极管和光敏晶体管 4.1.5 光电池 4.1.6 光电式传感器的应用 4.1.6 光电式传感器的应用 模拟式传感器 脉冲式传感器 1. 模拟式光电传感器 基于光电器件的光电流随光通量而发生变化,是光通量的函数 。 对于光通量的任意一个选定值,对应的光电流就有一个确定的值,而光通量又随被测非电量的变化而变化,这样光电流就成为被测非电量的函数。 光电比色高温计 1-物镜;2-平面玻璃;3-光阑;4-光导棒;5-分光镜; 6-滤光片;7-硅光电池;8-滤光片;9-硅光电池; 10-瞄准反射镜;11-圆柱反
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