第4讲内存(教学课件).ppt

7. tAC Access Time from CLK，最大CAS延迟时的最大访问时 间。PC100规范要求在CL=3时tAC不大于6ns，而PC133规范要 求tAC不超过5.4ns。DDR内存对tAC也有一定的要求，对于 DDR266，tAC的允许范围是±0.75ns；对于 DDR333和DDR400，则是±0.7ns。 8. Bank Bank数表示该内存的物理存储体的数量，相当于列的意思。 9. Parity Check 奇偶校验，是通过在每1字节上加一个数据位对数据进行 检查的一种校验方法，这个附加位用来表示该字节中的“1”的数 目是奇数还是偶数。通过这个附加位就可以验证读写的过程中 是否出现了错误。奇偶校验内存可以检测出部分错误，但不能 纠正错误。 10. Bank interleave 在大量数据写入或读取分散性数据的时候，如果在当前 Bank读取完成后再转移到其它Bank，就要经过一个预充电时 间。通过使不同Bank的读取和预充电时间交错进行而互不干 扰，会减少充电周期对工作效率的影响，从而提高内存的性能 。常见的有2路Bank interleave、4路Bank interleave等模式。 4.5.1 双通道内存技术 为解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。理论上可使两条同等规格内存所提供 的带宽增加一倍。 4.5.2 三通道内存技术 各种内存都有各自的编号，在内存芯片上的编号提供了内存 关键参数的相关信息，主要包括： 1.芯片的容量 2.芯片的位宽 3.芯片的逻辑Bank数量 4.芯片的工作速度 1. 海力士DDR2／3 内存编号 例如： 海力士DDR2内存编码规则（HY XX X XX XX X X X X X X-XX X） 第一字段（第1、2位）：表示芯片品牌，HY代表海力士（Hynix） 内存芯片。 第二字段（第3、4位）：表示芯片品牌产品类型，5P代表DDR2 SDRAM内存。 第三字段（第5位）：表示工作电压，S代表VDD=1.8V＆VDDQ=1.8V。 第四字段（第6、7位）：表示容量与刷新速度，28代表128Mb、 4K/64ms；56代表256Mb、8K/64ms；12代表512Mb、8K/64ms； 1G代表1Gb、8K/64ms；2G代表2Gb、8K/64ms。 第五字段（第8、9位）：表示芯片结构，4代表×4，8代表×8，16 代表×16，32代表×32。 第六字段（第10位）：表示内存芯片内部由几个Bank组成，1代表 2Bank，2代表4Bank，3代表8Bank。 第七字段（第11位）：表示电气接口，1代表SSTL_18；2代表 SSTL_2。 第八字段（第12位）：表示内存芯片的修正版本，空白代表第一 版，A代表第二版，B代表第三版，C代表第四版。 第九字段（第13位）：表示功率消耗能力，空白代表正常功耗； L代表低功耗；K代表Reduced Power 。 第十字段（第14位）：表示内存芯片的封装方式， F代表FBGA single Die封装，S代表FBGA Stack封装（Hynix），M代表 FBGA DDP封装。 第十一字段（第15位）：表示内存芯片的封装材料，空白代表 正常，P代表Lead free；R代表LeadHalogen free。 第十二字段（第16、17位）：表示内存芯片的速度标识， E3代表DDR2-400（3-3-3）；E4代表DDR2-400（4-4-4）； C3代表DDR2-533（3-3-3）；C4代表DDR2-533（4-4-4）； C5代表DDR2-533（5-5-5）；Y4代表DDR2-667（4-4-4）； Y5代表DDR2-667（5-5-5）；Y6代表DDR2-667（6-6-6）； S5代表DDR2-800（5-5-5）；S6代表DDR2-800（6-6-6）。 第十三字段（第18位）：表示工作温度类型（此字段也可空 白），I代表工业温度（－400C～850C）；E代表扩大温度 （－250C～850C）。 例如，一条海力士DDR2内存，使用HY5PS2G431CMP－S6 内存芯片，表示一款DDR2 800，容量2GB，FBGA封装的内存。 三星DDR2内存编码规则（K 4 T XX XX X X X - X X XX）如下： 第一字段（第1位）：表示芯片品牌，K代表是三星内存芯片。 第二字段（第2位）：表示芯片类型，4代表DRAM。 第三字段（第3位）：表示芯片的细分类型说明，T代表DDR2 SDRAM。