模电 第2章 半导体二管及其基本电路.ppt

第二章 半导体二极管及其基本电路 半导体的基本知识 （1） 半导体的基本知识（2） 半导体的基本知识（3） 半导体的基本知识（4） 半导体的基本知识（5） 本征半导体 （1） 本征半导体 （2） 本征半导体 （3） 本征半导体 （4） 杂质半导体（1） 杂质半导体（2） 杂质半导体（3） PN结的形成 PN结的特性 PN结的性质—PN结的单向导电性（1） PN结的性质-- PN结的单向导电性（2） PN结的性质——PN结的单向导电性（3） 半导体二极管(Diode)结构（1） 半导体二极管结构（2） 半导体二极管结构（3） 半导体二极管结构（4） 半导体二极管结构（5） 二极管的伏安特性（1） 二极管的伏安特性（2） 二极管的伏安特性（3） 二极管的主要参数 二极管的模型 二极管电路分析举例（1） 二极管电路分析举例（2） 二极管电路分析举例（3） 二极管电路分析举例（4） 二极管电路分析举例（6） 二极管电路应用举例 稳压二极管（齐纳二极管)---伏安特性 稳压二极管---稳压二极管主要参数 稳压二极管---稳压电路分析 稳压二极管电路分析举例（1） 稳压二极管电路分析举例（2） 稳压二极管电路分析举例（3） 本章基本要求 （4） 微变电阻 rD iD uD ID UD Q ?iD ?uD rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 （5） 二极管的极间电容 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。 PN结高频小信号时的等效电路： 势垒电容和扩散电容的综合效应 rd 1. 理想模型 3. 折线模型 2. 恒压降模型 特点：死区电压=0 正向导通压降=0 反向饱和电流=0 特点：正向导通压降 =死区电压 =0.7V或0.3V 反向饱和电流=0 特点：正向导通压降 =死区电压 =0.5V或0.2V 反向饱和电流=0 含二极管电路的分析方法 确定二极管的工作状态 根据工作状态用不同的模型代替二极管 在等效后的线性电路中作相应的分析 若二极管工作在截止 状态则可等效为断开的开关 若二极管工作在导通 状态则可等效为导通的开关 UON ID 或电压为UON的电压源 如何判断二极管的工作状态 ？ 步骤 1、假设二极管截止，即将二极管断开。 2、计算二极管两端的电压 UD=V阳-V阴 3、判断：若 UD0，则二极管工作于导通状态 若 UD0，则二极管工作于截止状态 例1：图示电路中，分析当UA与UB分别为0与3V的不同组合时，二极管D1、D2的状态，并求U0的值。 解： （1）当UA=UB=0时 设D1、D2截止，则等效电路为 UD1 UD2 D1 D2 U0 R 5V UA UB D1 D2 U0 R 5V 由电路，有 UD1=0-（-5）=50 UD2=0-（-5）=50 则D1、D2处于导通状态，电路可等效为 所以，U0=0 D1 D2 U0 R 5V （2）当UA=UB=3V时 设D1、D2截止，则等效电路为 由电路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=3-（-5）=80 则D1、D2处于导通状态，电路可等效为 所以，U0=3V UD1 UD2 D1 D2 U0 R 5V 3V 3V D1 D2 U0 R 5V 3V 3V 二极管电路分析举例（5） （3）当UA=3V，UB=0时 设D1、D2截止，则等效电路为 由电路，有 UD1=3-（-5）=80 UD2=0-（-5）=50 UD1 UD2 D1 D2 U0 R 5V 3V D1 D2 U0 R 5V 3V 出现矛盾！即D1、D2不可能同时导通！！ 规定：承受正偏压大的二极管优先导通。 则D2处于截止状态，最终电路如上图所示： 所以，U0=3V D1 D2 U0 R 5V 3V 则等效电路为： 由电路，有 UD2=0-3=-30 （4）当UA=0，UB=3V时 所以，U0=3V 同理可得：D1截止，