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- 2018-08-11 发布于江苏
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第三章 存储器及其接口 SRAM存储器组成 SRAM存储器芯片实例(Intel 2114) 以Intel2716(2K×8位)芯片为例 与8位CPU的连接方法: 低位地址线、数据线直接相连; 工作电源VCC直接与+5V电源相连,编程电源通常由开关控制; CE-和OE-信号分别由CPU高位地址总线和控制总线译码后产生,通常采用下图所示的3种方法。 * 存储器概述 半导体存储器 内存的管理 存储器接口技术 主存储器接口 高速缓冲存储器接口 3.1 概述 存储器:计算机中存放指令和数据的设备。 要求:容量大、速度快、成本低 但这三者在同一个存储器中不可兼得 解决:采用分级存储器结构,通常将存储器分为高速缓冲存储器、主存储器和外存存储器三级。 中 央 处 理 器 主 存 外 存 快存 M1 M2 M3 三级存储器的结构示意图 微 型 计 算 机 接 口 技 术 第3章 存储器及其接口 3.2 半导体存储器 半导体存储器的分类 制作工艺可分为:双极型、MOS型 存取方式可分为:SAM、RAM、ROM MOS型 ROM E2 PROM(电可擦PROM) 掩膜ROM PROM(可编程ROM) EPROM(紫外线可擦PROM) SRAM IRAM DRAM FLASH RAM 双极型 SAM型 FIFO(先进先出存储器) CCD(电荷耦
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