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WNiFeW各向异性磁电阻效应分析 　　摘 要：文章采用钨（W）作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层制备W/NiFe/W系列膜，同时制备了Ta/NiFe/Ta系列膜作对照，研究W/NiFe/W中W对NiFe薄膜AMR的影响，并对样品的磁性和微结构进行了测试和表征。通过观察可以看出，利用电阻率大、表面能大的钨作为缓冲层以及覆盖层可以很好地保证NiFe薄膜优异的软磁性能，其AMR值与利用钽元素时的结果相近。经过退火处理后，W/NiFe/W薄膜的磁性死层更小，磁性能更稳定。结果表明，W也适合作NiFe薄膜的缓冲层以及覆盖层。 　　关键词：各向异性磁电阻;W;磁性死层 　　中图分类号：TM721 文献标识码：A 文章编号：1006-8937（2015）06-0075-03 　　1 实验背景概述 　　各向异性磁电阻（AMR）效应指的是铁磁材料的电阻率随着自身磁化强度与电流方向夹角改变而改变的现象。AMR效应在1857年被William Thomson在铁和镍中发现，后来到20世纪70年代开始进入传感器市场，20世纪90年代初作为磁头应用于磁记录中。 　　如今，虽然AMR磁头的功能已经被自旋阀结构的GMR材料取代，但是AMR材料在传感器方面的研究仍备受关注。目前，AMR效应在地磁导航、位置测量、大容量存储磁带机等方面被广泛应用。 　　通常认为，AMR效应的微观机制是自旋-轨道耦合相互作用导致的传导电子自旋相关散射的各向异性。由于坡莫合金（Ni81Fe19）价格低廉，结构简单，具有比较可观的AMR效应、低矫顽力等优越性能，所以一直是被用于实际应用。而Ta是磁电阻结构中最常用的缓冲层、保护层材料。 　　采用Ta/NiFe/Ta多层膜结构，可以很好地保证NiFe薄膜的优异软磁性能。底层利用Ta作为缓冲层可极大改善NiFe薄膜的结晶性和诱发（111）织构;由于Ta膜表面容易钝化，所以在NiFe层上覆盖Ta层可以保护NiFe层不被氧化。并且Ta的电阻率远大于NiFe薄膜，使得Ta层分流效应不明显，可见缓冲层和覆盖层对NiFe层至关重要。 　　在实际应用中，为了减小NiFe薄膜的退磁场效应，需要将其沉积的尽量薄。但是由此带来的问题是，随着NiFe薄膜厚度的减小，薄膜的磁电阻随之急剧下降。并且，在Ta和NiFe的接触界面会出现磁性死层，磁性死层对坡莫合金薄膜的磁性能会产生不利的影响。经过高温退火处理后，由于界面原子扩散使得磁性死层厚度进一步增加，因此，减小磁性薄膜中界面间互混现象，使磁性能更稳定是当前AMR研究的一个内容。 　　通过之前的研究发现，表面能较小，熔点较低的元素在退火过程中会发生严重的扩散，本文利用表面能、熔点均大于Ta的W作NiFe薄膜的缓冲层和覆盖层，对比研究两种元素对NiFe薄膜AMR的影响。结果显示，W/NiFe/W结构可以很好的保证NiFe薄膜的软磁性能。相较于Ta，其磁性能更稳定。 　　2 实验细节 　　本研究的样品结构为W（4 nm）/NiFe（X）/W（4 nm）与Ta（4 nm）/NiFe（X）/Ta（4 nm），其中，X=4 nm，7 nm，10 nm，15 nm，20 nm，30 nm，40 nm。衬底采用表面附有SiO2氧化膜的单晶硅Si基片，样品采用直流磁控溅射方法生长，溅射系统的背景真空好于5×10-5 Pa，溅射工作介质Ar气压为0.5 Pa。真空腔内装有4个靶枪，可以一次性沉积16个多层膜样品。 　　所有靶的纯度均为99.99%。在薄膜生长时，衬底处施加了一个平行于衬底表面的磁场（30 kA?m-1）以诱导NiFe层的单轴各向异性。部分样品在气压为3×10-5 Pa的真空炉中以350 ℃退火一个小时，退火过程中沿样品易轴方向施加80 kA?m-1外磁场。用振动样品磁强计（VSM）测量样品的磁滞回线，四探针法测量其磁电阻。不同衬底和覆盖层对NiFe层微结构的影响通过X射线衍射仪（XRD）测量，采用常规镜面反射式2θ/θ衍射（specular diffration），X射线光源为Cu靶Kα线。 　　3 实验结果和讨论 　　W/NiFe/W和Ta/NiFe/Ta（NiFe厚度均为20 nm）样品在制备态和退火后的磁电阻曲线如图1所示。可以看出，在制备态时，利用W作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层的样品AMR数值与利用Ta作为NiFe合金的缓冲层和覆盖层的样品AMR数值相近。经过350 ℃退火后，W/NiFe/W和Ta/NiFe/Ta两个样品的AMR效应均有不同程度的下降，但是差别较小。W/NiFe/W薄膜和Ta/NiFe/Ta薄膜在制备态和退火后的AMR随NiFe厚度变化关系如图2（a）、（b）所示。在制备态时，W/NiFe/W与Ta/NiFe/Ta两组薄膜样品的