线性第4讲练习题.pdf

4.5 习题解答 4-1 试改正图 LT4-1 所示各放大电路的错误，并指出各电路的名称。图中，各电容 C 对信号频率呈短路。 图LT4-1 图LT4-1(S) 解：本题用来熟悉放大电路的组成原则。 分析这类问题时，通过观察电路的直流通路和交流通路是否合理，来判断放大电路的正 确性。 图LT4-1 （a ）：在直流通路中，要求NPN 管的 VC VB VE ，而该电路VCC 0 ，故直流 通路有错。在交流通路中，CB2 将输入信号交流短路，故交流通路也有错。 改正方法：将 VCC 改为正电源，并去掉电容 CB2 ，则由NPN 管组成的共发电路，具有 放大作用，如图 LT4-1 （S）（a ）所示。 图LT4-1 （b ）：交流通路没有错误。但直流通路中，由于NPN 管发射结上无偏置电压， 故直流通路有错。 改正方法：在三极管基极到电源 Vcc 之间接入偏置电阻 RB ，则由NPN 管组成的共发电 路，具有放大作用，如图 LT4-1 （S）（b ）所示。 图LT4-1 （c ）：交流通路没有错误。但直流通路中，由于场效应管栅源之间无偏置电压， 故直流通路有错。 改正方法：在场效应管栅极到电源 Vss 之间接入偏置电阻 RG ，则由N 沟道 JFET 管组成 的共漏电路，具有放大作用，如图LT4-1 （S）（c ）所示。 图LT4-1 （d ）：交流通路没有错误。但直流通路有两处错误：（1）场效应管栅源之间无 直流通路；（2 ）对于N 沟道耗尽型 MOSFET 管，要求 VDS 0 ，而该电路的VDD 0 。 改正方法：将 VDD 改为正电源，并在场效应管栅极到地之间接入偏置电阻 RG ，则由 N 沟道 DMOS 管组成的共源电路，具有放大作用，如图 LT4-1 （S）（d ）所示。 4-2 在图 LP4-2 所示电路中，已知室温下硅管的β=100 ，VBE(on) =0.7V ，ICBO =10 -15A ， 试求：室温下 ICQ 、VCEQ 值，温度升高 40 °C、降低 60 °C 两种情况下 VCEQ 值，并分析其 工作模式。 −V −V EE BE on (1) I （ ） 20 .39 A 解： 室温时 BQ μ R B I I 1 I 2 .04 mA + + ≈ CQ β BQ （ β） CBO V V I R 1.92 V − − CEQ EE C C ‘ 2 T 40 C (1 T 1%) 1.4 140 （）Δ 时，β +Δ × β β