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不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响 　　摘要：目前，随着集成电路规模的不断发展，传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少，但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例，研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。 　　关键词：铜互连；有机添加剂；脉冲电镀；XRD；电阻率 　　 　　Different Concentrations of Additives 　　on the Properties of Copper Plating 　　 　　GU Xiao-qing1，XU Sai-sheng2 　　（1.Shanghai Technical Institute of Electronics Information，Shanghai200433,China; 　　2.School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai200433, China） 　　Abstract: At present, copper interconnect technology have replaced the traditional aluminum wiring in VLSI interconnection. Copper is filled mainly by the ultra-Damascene process for electroplating. Organic additives, including accelerator, suppressor and leverler, although their concentration in the electroplating solution is very few, but they are crucial for the copper plating process. This paper is about studying of each type of additives’ impact on copper plating. 　　Key words: copper interconnect; Organic additives; pulse plating;XRD；resistivity 　　 　　1引言 　　 　　在半导体产业诞生以来半个多世纪的时间里，人们一直采用铝（Al）材料制造集成电路中的微连线或配线。然而，随着集成电路集成度的不断提高，特征尺寸不断减小，在0.13μm以下的设计标准中，采用铝互连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题。与此同时，集成电路的速度也在不断提高，铝材料互连线的RC延迟成为集成电路的主要延迟。由于铝本身电阻率的限制使得互连线电阻的减小达到了极限，必须采用电阻率更小的材料来取代铝。对于电容问题，其大小与介电系数成正比，要减小电容，也必须采用低介电系数的新材料来取代传统的二氧化硅作互连线之间的隔离。面对集成电路发展对互连线工艺提出的诸多挑战，铜（Cu）互连工艺结合低介电系数材料的应用技术应运而生。 　　由于铜在导电方面具备卓越的性能，采用铜互连线的器件在层数上只需达到采用铝互连线的一半时就可以实现相同的功能。因此，当铜互连工艺日趋成熟时，采用铜互连线的器件将会主宰半导体行业。 　　近几年来，用Cu代替Al作为新的互连线金属一直是研究的热点。与Al相比，Cu具有电阻率低（室温）、抗电迁移和应力迁移特性好等优点，因此Cu是一种比较理想的互连材料。Cu的电阻率比Al低约35%，能大大降低互连线的电阻，从而降低RC延迟。Cu除了低电阻率的特性外，还有较好的抗电迁移能力和无应力迁移的特性。 　　在铜互连过程中，电镀是其主要的工艺。通常采用硫酸铜镀液。为得到性能良好的Cu镀层，需要使用三种有机添加剂：加速剂（Accelerator）、抑制剂（Suppressor）和平坦剂（Leverler）。本文将以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例，研究不同添加剂浓度的组合对Cu镀层性能的影响。 　　 　　2试验准备 　　 　　8英寸硅片，P型，（100）晶向。先用PECVD淀积800 nm SiO2作为介质层，然后用PVD淀积15 nm的TaN和10 nm的Ta分别作为扩散阻挡层和粘附促进层，接着用PVD淀积50 nm的Cu种籽层。种籽层为后面的电镀提供一层导电层。 　　将其切成5cm×2 cm的矩形小片，样品浸没在电镀液中的长度均为2 cm。 　　电镀液成份：CuSO4?5H2O、H2SO4、HCl