半导体材料第7讲-化合物半导体1教学文稿.ppt

　　Ⅲ一V族化合物半导体的离子键成分与其组成的Ⅲ族和V族原子的电负性之差有关。两者差越大，离子键成分就越大，而共价键成分就越小。 　　例如，GaP的Ga原子的电负性是1.6，P原子电负性是2.1，它们相差0.5。由课本的化合物原子电负性差与离子键的成分关系图（图6—2）可查出相对应的离子键成分为7.5％，也就是说GaP中共价键成分可能是92.5％。 　　但GaP为闪锌矿型，最靠近Ga原子的P原子共有四个，而Ga原子的价电子只有3个，所以Ga原子只能和3个P原子形成共价键，因此从整个晶体来考虑，共价键成分应等于92.5×3／4=71％，所以离子键成分占29％。 　　纤维锌矿结构为：六方晶系、六角密堆积结构，离子键起主要作用。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 重要概念：　　 直接跃迁: 如果在能量转移过程中，电子的动量保持一定，电子可从导带直接跃迁到价带而发出光，这就称为直接跃迁。 间接跃迁: 如果电子与空穴结合必须改变其动量，则跃迁较困难且用光、热的方式将能量散出，这就称为间接跃迁。 半导体的导带的最低能量状态和价带的最高能量状态不在 k 空间 (动量)的同一位置，这种结构称为间接跃迁型，半导体为“间接带隙半导体”。　 在同一位置的半导体称为直接跃迁型，半导体称为“直接带隙半导体”。 (1) GAs的导带极小值和价带极大值都在k=0，而Ge、Si的价带极大值虽在波矢k=0处，但它们的导带极小值却不在k=0，即它们的导带极小值和价带极大值所处的是值不同。 　因为半导体发光时要求有电子跃迁；而一般的电子跃迁又要求动量守恒，即电子必须在 k 空间 (动量) 的同一位置跳跃，所以间接带隙半导体一般不能用作发光材料。 Ⅲ一V族化合物半导体的能带结构 (2)在GaAs(100)方向上具有双能谷能带结构，即除k=0处有极小值外，在(100)方向边缘上存在着另一个比中心极小值仅高0.36eV的导带极小值，称为X极小值（参见课本图6－3）。因此电子具有主、次两个能谷。　 半导体材料 陈易明　mpcyjs@gdut.edu.cn 化合物半导体材料砷化镓 砷化镓是化合物半导体中最重要、用途最广泛的半导体材料，也是目前研究得最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。 优点： 砷化镓具有电子迁移率高（是硅的5-6倍）、 禁带宽度大（它为1.43eV， 硅为1.1eV），工作温度可以比硅高 为直接带隙，光电特性好，可作发光与激光器件 容易制成半绝缘材料（电阻率107-109Ωcm）， 本征载流子浓度低 耐热、抗辐射性能好 对磁场敏感 易拉制出单晶 　　砷化镓是由金属镓与半金属砷按原子比1:1化合而成的金属间化合物。它具有灰色的金属光泽，其晶体结构为闪锌矿型。 　砷化镓早在1926年就已经被合成出来了。到了1952年确认了它的半导体性质。 　　用砷化镓材料制作的器件频率响应好、速度快、工作温度高，能满足集成光电子的需要。它是目前最重要的光电子材料，也是继硅材料之后最重要的微电子材料，它适合于制造高频、高速的器件和电路。 砷化镓在我们日常生活中的一些应用 现在我们看电视、听音响、开空调都用遥控器。这些遥控器是通过砷化镓发出的红外光把指令传给主机的。 在许多家电上都有小的红色、绿色的指示灯，它们是以砷化镓等材料为衬底做成的发光二极管。 光盘和VCD， DVD都是用以砷化镓为衬底制成的激光二极管进行读出的。 曲折的应用历程 　　到了50年代中期当半导体硅的工艺获得突破以后.人们开始寻找更优良的半导体材料。由于其优异的半导体性质，所以目光就集中在砷化镓上。 　　砷化镓单晶在应用上曾遭受到不少挫折。首先用它来作晶体管和二极管，结果其性能还赶不上硅和锗。到了60年代初，出现了耿氏微波二极管，人们曾寄希望于将此器件取代真空速调管，使雷达实现固体化。后终因输出功率太小而未能实现。 　　在改善计算机性能中，用砷化镓制成了超高速电路，可以提高计算机的计算速度，这个应用十分诱人，但是后来开发出计算机平行计算技术，又给砷化镓的应用浇了一飘冷水。 　　所以一直到90年代初期，砷化镓的应用基本限于光电子器件和军事用途。 步入黄金时代 　　由于认识到其优异性能及其战略意义人们不断地对砷化镓材料器件及应用进行研究与开拓，这些工作为今天的大发展打下了基础。 　　砷化镓器件有分立器件和集成电路。现在集成电路已不是硅的一统天下，砷化镓集成电路己占集成电路市场份额的2%强。 已获应用的砷化镓器件有: 微波二极管，耿氏二极管、变容二极管等; 微波晶体管:场效应晶体管(FET).高电子迁移率晶体管(HEMT) ，异质结双极型晶体管(HBT)等; 集成电路:微波单片集成电路(MMIC )、超高速集成电路(VHSIC)等; 红外发光二极