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一种RFLDMOS内匹配电路设计方法 　　摘 要： 介绍了通过测试及ADS软件去嵌入得到RF?LDMOS管芯阻抗的方法，并通过测试结果验证其准确性。介绍了两种常用的内匹配电路形式及其特点，并采用其中一种通过ADS和HFSS两款仿真软件实现一款自主研发的45 mm 栅宽RF?LDMOS内匹配电路，说明了内匹配电路设计的一般步骤以及MOS电容和键合线HFSS仿真实现。测试结果表明，该匹配电路实现了预期功能，在工作频带内得到了较为稳定的输入/输出阻抗，同时1 dB压缩点增益达到16.5 dB，功率达到48.9 dBm，器件每毫米栅宽功率密度达到1.7 W/mm。 　　关键词： RF?LDMOS； 内匹配电路； MOS电容； 键合线 　　中图分类号： TN710?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2014）09?0134?04 　　0 引 言 　　射频功率放大器在现代通信设备中得到很广泛的应用，RF?LDMOS凭借其良好的热稳定性、高增益、高线性、高耐压、高输出功率和相对低廉的成本成为射频功率放大器的核心部件，其重要性不言而喻。实践证明，通过增加管芯栅宽的方法可提高器件的功率输出，这就使得管芯的输入/输出阻抗都很小，如果仅采用外匹配无法充分发挥管芯的大功率特性，甚至导致功放管振荡而造成永久性损伤。因此，研究RF?LDMOS内匹配电路有着非常重要的现实意义。