离子电导注意电导的基本公式只有一种载流子时.PPT

* * 无机材料物理性能 * 第十五讲 离子电导 本征电导：源于晶体点阵的基本离子的运动。 杂质电导：由固定较弱的离子（杂质）离子 的运动造成。 离子电导 注意：电导的基本公式： 只有一种载流子时： 有多种载流子时： 离子电导要研究的主要内容： 载流子浓度 离子迁移率 离子电导率 影响离子电导率的因素 离子电导 载流子浓度 本征电导：源于晶体点阵的基本离子的运动。 固有电导中，载流子由晶体本身的热缺陷提供。 载流子浓度 晶体的热缺陷主要有两类： 弗仑克尔缺陷 肖特基缺陷 离子电导 杂质电导：由固定较弱的离子（杂质）离子 的运动造成。 电导的基本公式 只有一种载流子时： 有多种载流子时： 载流子浓度 弗仑克尔缺陷： N为单位体积内离子结点数 Ef为同时生成一个填隙离子和一个空位所需要的能量 载流子浓度 肖特基空位浓度 N为单位体积内离子对的数目 Es为离解一个阴离子和一个阳离子并到达表面所需要的能量 载流子浓度 一般肖特基缺陷形成能比弗仑克尔缺陷形成能低许多 高温下: 离子晶体的电导主要由热缺陷浓 度决定 低温下: 离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定 离子迁移率 离子电导的微观机构为载流子 ── 离子的扩散 。 间隙离子的扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。 离子迁移率 间隙离子的势垒 离子迁移率 间隙离子的势垒变化 离子迁移率 离子迁移与势垒的关系 ν0－间隙原子在半稳定位置上振动频率 离子迁移率 当外加电场时 定向移动次数为 ： 离子迁移率 载流子沿电场方向的迁移速度V δ－相邻半稳定位置间的距离 当场强不太大时，ΔUkT，则 离子迁移率 又因为 载流子迁移速度 载流子迁移速率 离子电导 δ－ 相邻半稳定位置间的距离（cm） γ0 － 间隙离子的振动频率(s-1) Q － 电荷数(C) k = 0.86×10-4 (eV/Ｋ) U0 －无外电场时的间隙离子的势垒（eＶ） 上式各物理量的意义 离子电导率 离子电导率的一般表达方式 如果本征电导主要由肖特基缺陷引起，其本征电导率为： 离子电导率 本征离子电导率一般表达式为： 若有杂质也可依照上式写出： 离子电导率 只有一种载流电导率可表示为： 写成对数形式: 活化能: 离子电导率 有两种载流子时总电导可表示为: 有多种载流子时总电导可表示为: 离子电导率 离子扩散机构 离子电导率 能斯脱一爱因斯坦方程 扩散系数与离子迁移率的关系 影响离子电导率的因素 离子电导率 呈指数关系，随温度 升高，电导率迅速增大。 低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)； 高温下，固有电导起主要作用。 1、温度 杂质离子电导与温度的关系 影响离子电导率的因素 离子电导率 2、晶体结构 活化能大小取决于晶体间各粒子的结合力。而晶体结合力受如下因素影响： 离子半径：离子半径小，结合力大 离子电荷，电价高，结合力大 堆积程度，结合愈紧密，可供移动的离子数目就少，且移动也要困难些，可导致较低的电导率 影响离子电导率的因素 离子电导率 3、晶格缺陷 离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键所在。而影响晶格缺陷生成和浓度的主要有如下因素： 热激励生成晶格缺陷(肖特基与弗仑克尔缺陷) 不等价固溶掺杂 离子晶体中正负离子计量比随气氛的变化发生偏离