电子厂房高纯气体工艺与施工工程.ppt

④为防止倒流回火应在用气设备的支管上设置阻火器，在排入大气的排气管道上，为防止排气时突遇雷电袭击阻止火焰蔓延至可燃气体管道引发燃烧爆炸事故，必须在排气管道上设置阻火器。 ⑤可燃气体在适当的管道处应做接地，但接地电阻应符合相关规定。 ⑥各种可燃气体管道系统均应设置能引入氮气等惰性气体的接口及相应的检测口，以便在可燃气体供应系统使用前后或检修动火前后对其系统进行吹扫置换，但是惰性气体吹扫接口在正常运行中不能与气体钢瓶或惰性气体管道相通，以避免影响气体质量。 电子厂房高纯气体工艺与施工工程 前言 近10年来，随着更复杂、更密集的大规模和超大规模集成电路的生产，对高纯气体洁净度的要求，已不亚于对纯度和干燥度的要求，凡工艺气体，无一不对其中的粒子提出限制。因此，对于高纯气体，纯度、干燥度、洁净度是三项重要的标度。由于高纯度气体的使用地点、性质、工况（如温度、压力等）都不完全一致，所以，如何确定高纯气体的“三度”（纯度、干燥度、洁净度），还没有一个严格而明确的概念。??? 对于纯度和干燥度的控制，我国CBJ73—84《洁净厂房设计规范》中指出，“高纯气体系指纯度大于或等于99.9995%，含水量小于5ppm气体。”日本把微电子生产中所采用的气体，按其不同的品位，具体分为下列几个不同的档次： 超高纯气体??? 气体中杂质总含量控制在1ppm以下，水份含量控制在0.2~1ppm。 高纯气体??? 气体中杂质总含量控制在5%ppm以下，水份含量控制在3 ppm以内. 洁净气体??? 气体中杂质总含量控制在10 ppm以下,对水份含量未作严格规定。 上述规定，都未涉及洁净度。我们知道，集成电路的生产，几乎都是在洁净环境中进行，是防止尘埃粒子污染微电子产品所必需的。所以，对洁净的生产环境绝不允许采用不洁净的气体来破坏，必须使气体的洁净度与洁净环境保持一致，根据相关资料以及近些年公司相关工程的经验，我进行了一些归纳，希望能够给大家提供一些参考。 一、高纯/特种气体的概念 半导体集成电路制造所需要的高纯气体主要分为两大类： 普通气体：也叫大宗气体，主要有：H2 、N2 、O2 、Ar 、He等。 特种气体：主要指各种掺杂用气体、外延用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体等。 半导体制造用气体按照使用时的危险性分类 可燃、助燃、易燃易爆气体：H2 、CH4、H2S、NH3 、SiH4、PH3 、B2H6、SiH2CL3、CLF3、SiHCL3等。 有毒气体：AsH3、PH3 、B2H6等 助燃气体：O2 、N2O、F2 、HF等 窒息性气体：N2 、He 、CO2、Ar等 腐蚀性气体：HCL 、PCL3 、POCL3 、HF、SiF4、CLF3、 等 二．特种气体供应系统 特种气体的供应方式截至目前为止，几乎皆用钢瓶的方式进行，一般常用的为高压钢瓶，依其填充的气体特性有分为气态和液态两种，一般气体依液态储存于钢瓶内，瓶内压力较高，所以最佳方式是选用吸附式气态钢瓶，以气体分子与吸附剂间的范德瓦力将气体吸附于吸附剂孔隙中，其优点为供气压力低于一个大气压，无任何泄漏的危险，且供气量为普通高压钢瓶的10倍，低蒸汽压的气体以液态储存于钢瓶内；针对易燃易爆，有毒性腐蚀性的气体，常将钢瓶至于特气柜中，再通过管路将气体供应至现场附近的阀箱，经过一系列的控制而后进入用气点；一般惰性气体以开放式的气瓶架和阀盘供应；具体方式如下： 1.现场制气、管道供气 这种供气方式时将制气设备建造在用气量较大或者用气品种较多的工厂内或按区域设置供应周边各单位用气 示意图如下：1－中压贮气罐；2－调压阀组；3－气体过滤器；4－液态气体贮罐；5－汽化器；6－安全阀； 7－自动控制阀；8－气体纯化装置；9－流量计；10－末端气体过滤器；11－末端气体纯化器 12－用气点；13－高压气体压缩机；14－高压气体贮罐（P=15~20MPa） a图为采用液态气体贮存气体，中压贮罐。作为缓冲罐的供应系统。气体纯化设备设在工厂内，实际上在各用气工厂还应设置各种过滤精度的气体过滤器、计量仪器、分析仪器等，有的工厂对高纯气体中杂质含量控制十分严格，此时还需安装末端提纯设备。 b图为采用高压（P=15~20MPa）气体贮罐的供气系统，常用于氢气供应系统中，设高压气体压缩机从中压贮气罐中吸气经压缩到15~20MPa送入若干个高压贮气罐组储气，根据供气用气的平衡，高压贮气罐放气经二级调压阀组减压后由自动控制阀送入供气系统。 现场制气、管道供气 图 2．外购