高K-金属栅极技术说明.pptVIP

从65nm到45nm到32nm “高级矢量扩展”指令集可以说大大提升了Sandy Bridge的运算效率，在工艺方面同Westmere代号的CPU一样，Sandy Bridge主要采用了以下几点高新技术： 1.第二代高K介质金属栅极技术 2.193nm沉浸式光刻技术 3.增强型晶体管应变技术 关于高K介质金属栅极技术在接下来我会给大家做一个介绍，而Intel在2010年LithoVision大会上的报告显示193nm沉浸式光刻技术延用至15nm制程节点，其重要性不言而喻，另一项光刻技术EUV（极紫外光刻）技术则仍处于实验室阶段。能够查到关于增强型晶体管应变技术资料极少，有兴趣的同学可以仔细的去找找。 谈到高K材料的出现就不得不说晶体管的发展历史 在130纳米时代，铜制互连材料取代了铝制互连材料，显著降低了电阻。 在90纳米时代，我们发明了应变硅晶体管，大幅提升了性能。 在45纳米时代，我们引入了革命性的高k金属栅极晶体管，不仅提升了 性能，还降低了漏电能耗。 在32纳米时代，我们引入了第二代高k金属栅极晶体管，在性能和低能 耗方面又向前迈进了一大步。 Pentium 4处理 赛扬4 酷睿2双核处理器 酷睿i7处理器 处理器的发展 在这里有个概念需要说下：我们通常所说的32nm的工艺制程，不是指的芯片上